[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910169152.3 | 申请日： | 2003-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101661940A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 高松知广;三浦寿良;中村光宏;立花宏俊;小室玄一 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/52;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具有：
强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极；
层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔；
布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔与上述下部电极连接，
上述半导体装置的特征在于，
上述布线具有Ir膜或者Pt膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有形成在上述布线上的TiN膜。
3.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成强电介质电容器的工序，该强电介质电容器具有下部电极、强电介质膜及上部电极；
在上述强电介质电容器上形成层间绝缘膜的工序，该层间绝缘膜相对于上述下部电极具有多个接触孔；
在上述层间绝缘膜上形成布线的工序，该布线经由上述接触孔与上述下部电极连接，
上述半导体装置的制造方法的特征在于，
形成上述布线的工序包括形成Ir膜或者Pt膜的工序。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成上述布线的工序包括：
形成原料膜的工序，该原料膜由Ir或者Pt构成；
通过300℃以上的干式蚀刻对上述原料膜进行图形成形的工序。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行上述干式蚀刻时，使用含有卤素气体和O2的气体作为蚀刻气体，并使得上述蚀刻气体中的上述卤素气体的比例小于等于0.4，其中，该卤素气体为Cl2或者HBr。
6.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成上述布线的工序包括：
形成原料膜的工序，该原料膜由Ir或者Pt构成；
在上述原料膜上形成TiN膜的工序；
使用抗蚀剂掩模对上述TiN膜进行图形成形，从而形成硬质掩模的工序；
除去上述抗蚀剂掩模的工序；
使用上述硬质掩模对上述原料膜进行图形成形的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
