[发明专利]激光修复装置及激光修复方法无效
申请号: | 200910169507.9 | 申请日: | 2009-09-08 |
公开(公告)号: | CN101673666A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 赤羽隆之 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/321;B23K26/06;G02B26/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 修复 装置 方法 | ||
1.一种激光修复装置,其向产品表面上存在的缺陷照射激光光束来 修复所述缺陷,所述产品是通过在基板的表面上层叠一层以上用于形成 电路的一种以上的物质而制造的,其特征在于,所述激光修复装置具有:
射出单元,其射出所述激光光束;
二维空间调制单元,其按照所指定的空间调制模式,对从所述射出 单元射出的所述激光光束进行空间调制后,照射到所述产品的表面上;
存储单元,其存储照射条件信息,该照射条件信息使照射条件与所 述基板表面上根据层叠了一层以上的所述一种以上的物质的差异而划分 的多个层叠区域的各个层叠区域相对应,其中,该照射条件与在该层叠 区域上层叠一层以上的所述一种以上的物质相对应;
识别单元,其识别所述缺陷的范围;
划分单元,其根据存储在所述存储单元中的所述照射条件信息,划 分所述识别单元识别的所述缺陷的所述范围,当所述缺陷的所述范围与 所述多个层叠区域中的一个以上的层叠区域重合时,该划分单元将所述 缺陷的所述范围划分为一个以上的照射区域,各照射区域是所述缺陷的 所述范围分别与所述一个以上的层叠区域重合的部分;以及
控制单元,其依次对所述二维空间调制单元指定多个空间调制模式, 并控制所述射出单元,以便对由所述划分单元划分的所述一个以上的照 射区域的各个照射区域,按照与和该照射区域重合的所述层叠区域相对 应的所述照射条件,来向该照射区域照射所述激光光束;
所述多个空间调制模式中的各个空间调制模式是:
表示所述一个以上的照射区域中的一个照射区域的第1空间调制模式;
表示利用所述第1空间调制模式表示的一个所述照射区域、与该照 射区域的附近区域之和的第2空间调制模式;
表示所述一个以上的照射区域中的多个照射区域之和的第3空间调 制模式;或者
表示利用所述第3空间调制模式表示的多个所述照射区域与该多个 照射区域的附近区域之和的第4空间调制模式。
2.根据权利要求1所述的激光修复装置,其特征在于,
所述照射条件信息被表述为图像,
在所述图像中,所述多个层叠区域的各自的亮度被设定为与该层叠 区域相关联的与所述照射条件对应的值。
3.根据权利要求2所述的激光修复装置,其特征在于,
所述照射条件表示每单位面积应照射的能量,
在所述多个层叠区域的各个层叠区域中,与所述能量成比例的值被 设定为所述亮度。
4.根据权利要求1所述的激光修复装置,其特征在于,所述照射条 件表示每单位面积应照射的能量。
5.根据权利要求1所述的激光修复装置,其特征在于,
所述激光光束是脉冲激光光束,
所述控制单元依次对所述二维空间调制单元指定多个空间调制模 式,并控制所述射出单元,以便在所述一个以上的照射区域的各个照射 区域中,按照与和该照射区域对应的所述照射条件相当的脉冲数来照射 所述脉冲激光光束。
6.根据权利要求1所述的激光修复装置,其特征在于,所述控制单 元依次对所述二维空间调制单元指定多个空间调制模式,并控制所述射 出单元,以便在所述一个以上的照射区域的各个照射区域中,按照与和 该照射区域对应的所述照射条件相当的时间来照射所述激光光束。
7.根据权利要求1所述的激光修复装置,其特征在于,所述控制单 元控制所述射出单元使其依次切换输出功率来射出所述激光光束,并依 次对所述二维空间调制单元指定多个空间调制模式,以便在所述一个以 上的照射区域的各个照射区域中,使每单位面积照射的能量与和该照射 区域对应的所述照射条件相当。
8.根据权利要求7所述的激光修复装置,其特征在于,所述控制单 元进行控制,以使所述二维空间调制单元根据被依次指定的所述多个空 间调制模式而切换空间调制方式的定时、与所述射出单元切换所述输出 功率的定时同步。
9.一种激光修复方法,使激光修复装置向产品表面上存在的缺陷照 射激光光束来修复所述缺陷,所述产品是通过在基板表面上层叠一层以 上用于形成电路的一种以上的物质而制造的,其特征在于,所述激光修 复方法包括:
读取照射条件信息,该照射条件信息使照射条件与所述基板表面上 根据层叠了一层以上的所述一种以上的物质的差异而划分的多个层叠区 域的各个层叠区域相关联,其中,该照射条件对应于在该层叠区域上层 叠一层以上的所述一种以上的物质;
识别所述缺陷的范围;
根据所读取的所述照射条件信息,划分所识别的所述缺陷的所述范 围,当所述缺陷的所述范围与所述多个层叠区域中的一个以上的层叠区 域重合时,将所述缺陷的所述范围划分为一个以上的照射区域,各照射 区域是所述缺陷的所述范围分别与所述一个以上的层叠区域重合的部 分;
通过射出所述激光光束并依次切换空间调制用的多个空间调制模 式,来依次对所射出的所述激光光束按照不同的方式进行空间调制,以 便对所述一个以上的照射区域中的各个照射区域,按照与和该照射区域 重合的所述层叠区域相关联的所述照射条件,向该照射区域照射所述激 光光束,而照射到所述产品的表面上;
所述多个空间调制模式中的各个空间调制模式是:
表示所述一个以上的照射区域中的一个照射区域的第1空间调制模式;
表示利用所述第1空间调制模式表示的一个所述照射区域、与该照 射区域的附近区域之和的第2空间调制模式;
表示所述一个以上的照射区域中的多个照射区域之和的第3空间调 制模式;或者
表示利用所述第3空间调制模式表示的多个所述照射区域与该多个 照射区域的附近区域之和的第4空间调制模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造