[发明专利]具有金属化表面的基材有效
申请号: | 200910170416.7 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN101992569A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 徐元辰;陈怡臻 | 申请(专利权)人: | 柏腾科技股份有限公司 |
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04;B32B15/20;B32B18/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 金属化 表面 基材 | ||
1.一种具有金属化表面的基材,其特征在于,包含:
一含铝陶瓷基板;
一铝层,位于该含铝陶瓷基板上;
一金属层,位于该铝层上;以及
一导电金属层,位于该金属层上;
其中,该金属层是由铝与该导电金属的成分所构成。
2.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该含铝陶瓷基板的材料是选自以下群组:氧化铝、氮化铝、及其组合。
3.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该铝层与该金属层的总厚度为100纳米至300纳米。
4.根据权利要求3所述的基材,其特征在于,该铝层与该金属层的总厚度为120纳米至280纳米。
5.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该铝层的厚度为30纳米至100纳米。
6.根据权利要求5所述的基材,其特征在于,该铝层的厚度为40纳米至90纳米。
7.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该金属层的厚度为70纳米至200纳米。
8.根据权利要求7所述的基材,其特征在于,该金属层的厚度为80纳米至190纳米。
9.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该金属层的铝浓度为10体积%至90体积%。
10.根据权利要求9所述的基材,其特征在于,该金属层的铝浓度为25体积%至45体积%。
11.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该金属层为一单层结构且具有均匀分布或梯度分布的铝浓度。
12.根据权利要求11所述的基材,其特征在于,该金属层具有均匀分布的铝浓度。
13.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该金属层为一多层结构且各该层具有均匀分布或梯度分布的铝浓度。
14.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该导电金属层是由选自以下群组的材料所构成:金、银、铝、铜、前述金属的合金、经少量杂质掺混的前述金属、及其组合。
15.根据权利要求14所述的基材,其特征在于,该导电金属层是由铜所构成。
16.根据权利要求1所述的基材,其特征在于,该导电金属层的厚度为100纳米至300纳米。
17.根据权利要求16所述的基材,其特征在于,该导电金属层的厚度为100纳米至200纳米。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的基材,其特征在于,其是利用溅镀法所制得。
19.根据权利要求1至17中任一项所述的基材,其特征在于,该金属层是利用共溅镀法所形成。
20.根据权利要求1至17中任一项所述的基材,其特征在于,该铝层及该导电金属层是利用溅镀法所形成且该金属层是利用共溅镀法所形成。
21.根据权利要求20所述的基材,其特征在于,该导电金属层是由铜所构成且该金属层是一含铝及铜的金属层。
22.根据权利要求21所述的基材,其特征在于,该基材作为发光二极管的散热基板、高散热电子组件基板、或高散热电路板。
23.根据权利要求22所述的基材,其特征在于,该基材作为发光二极管的散热基板。
24.根据权利要求1至17中任一项所述的基材,其特征在于,该基材作为发光二极管的散热基板、高散热电子组件基板、或高散热电路板。
25.根据权利要求18所述的基材,其特征在于,该基材作为发光二极管的散热基板、高散热电子组件基板、或高散热电路板。
26.根据权利要求19所述的基材,其特征在于,该基材作为发光二极管的散热基板、高散热电子组件基板、或高散热电路板。
27.根据权利要求20所述的基材,其特征在于,该基材作为发光二极管的散热基板、高散热电子组件基板、或高散热电路板。
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