[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 200910170539.0 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673683A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 栉引理人;西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法，对依次叠层有处理对象层、中间层和掩模层并且所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部的基板进行处理，其特征在于，包括：
增加掩模层厚度的步骤，在该步骤中，通过由通式CxHyFz所示的沉积性气体和SF6气体的混合气体生成的等离子体，在具有所述开口部的掩模层的上部表面堆积沉积物，从而使厚度增加，其中，x、y、z是正整数；和
用于除去由于所述增加掩模层厚度的步骤而附着在处理对象层的沉积物的剥离清除步骤。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述增加掩模层厚度的步骤是使由于所述中间层的蚀刻而磨损的所述掩模层的厚度恢复的步骤。
3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述增加掩模层厚度的步骤在对所述中间层进行蚀刻之前实施。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：
所述沉积性气体是CH3F气体。
5.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于：
所述SF6气体相对于所述沉积性气体的混合比为1.5以下。
6.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：
所述SF6气体相对于所述沉积性气体的混合比为1～1.5。
7.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述增加掩模层厚度的步骤中，向所述基板施加50W～200W的偏置电力。
8.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述增加掩模层厚度的步骤中，将包围所述基板的气氛压力调整为2.0Pa(15mTorr)～5.2Pa(40mTorr)。
9.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述增加掩模层厚度的步骤的处理时间为20秒～40秒。
10.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述增加掩模层厚度的步骤中，所述掩模层是光致抗蚀剂膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
