[发明专利]氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件有效
| 申请号： | 200910170653.3 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101661910A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 中山雅博;松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/00;H01S5/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 衬底 蓝色 发光 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓半导体衬底，该氮化镓半导体衬底在其表面上包括 有选自Si、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn和Al中的至少一种元素的金属污 染，其中，所述金属污染的总量是0至10×1011原子/cm2，并且其中，所 述氮化镓半导体衬底不具有加工-变换层。
2.一种氮化镓半导体衬底，该氮化镓半导体衬底在其表面上包含 85颗粒/cm2或更少的颗粒量。
3.根据权利要求2所述的氮化镓半导体衬底，其中，该氮化镓半 导体衬底在其表面上包括有金属污染，并且所述金属污染的总量是0至 10×1011原子/cm2。
4.一种蓝色发光器件，其中，该蓝色发光器件是通过利用氮化镓 半导体衬底作为衬底来制造的，并且所述氮化镓半导体衬底在其表面 上包含0至10×1011原子/cm2的金属污染，其中所述氮化镓半导体衬底不 具有加工-变换层。
5.根据权利要求4所述的蓝色发光器件，其中，所述蓝色发光器 件是LED或者LD。
6.一种蓝色发光器件，其中，该蓝色发光器件是通过利用氮化镓 半导体衬底作为衬底来制造的，并且所述氮化镓半导体衬底在其表面 上包含85颗粒/cm2或更少的颗粒量。
7.根据权利要求6所述的蓝色发光器件，其中，所述蓝色发光器 件是LED或者LD。
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