[发明专利]形成半导体器件中的图样的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件中的图样的方法，包括：

在半导体衬底的上表面上形成硬质掩模层；

在所述硬质掩膜层的上表面上形成第一感光膜图样，所述第一感光膜图样用来形成线和间隔图样中的线；

通过使用所述第一感光膜图样作为掩膜刻蚀所述硬质掩膜层来形成第一硬质掩膜图样；

在具有所述第一硬质掩膜图样的所得结构的上表面上形成第二感光膜图样，所述第二感光膜图样用来形成线和间隔图样中的间隔；

通过使用所述第二感光膜图样作为掩膜刻蚀所述第一硬质掩膜图样来形成第二硬质掩膜图样；以及

通过使用所述第二硬质掩膜图样作为掩膜刻蚀所述半导体衬底来形成所述线和间隔图样。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一感光膜图样和所述第二感光膜图样分别使用不同类型的感光溶液。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，相应于所述线形成所述第一感光膜图样。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一感光膜图样使用正型感光溶液。

5。根据权利要求2所述的方法，其中，相应于所述间隔的反转形状来形成所述第二感光膜图样。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二感光膜图样使用负型感光溶液。