[发明专利]利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路

权利要求书

1.一种利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其包括：

完全相同的多个模块电路，其中第一个模块电路的电源端耦接该静电放电保护电路的电源端，其余每一个模块电路的电源端耦接上一个模块电路的接地端，最后一个模块电路的接地端耦接该静电放电保护电路的接地端，每一上述模块电路包括：

一传导路径，耦接该模块电路的电源端；以及

一侦测电路，耦接该模块电路的电源端、接地端与该传导路径，若该模块电路的电源端的电压上升速度超过一临界值，则该侦测电路使该传导路径导通。

2.根据权利要求1所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其中所述的传导路径包括一PMOS晶体管，该PMOS晶体管根据该侦测电路的输出而导通或截止。

3.根据权利要求1所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其中每一上述模块电路的传导路径耦接于该模块电路的电源端与接地端之间，将一静电放电脉冲自该模块电路的电源端传导至该模块电路的接地端。

4.根据权利要求1所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于更包括：

一放电路径，耦接于该静电放电保护电路的电源端与接地端之间，将一静电放电脉冲自该静电放电保护电路的电源端导入该静电放电保护电路的接地端；其中

最后一个模块电路的传导路径耦接该放电路径，输出一触发信号，使该放电路径导通；

其余每一模块电路的传导路径耦接于该模块电路的电源端与接地端之间，传送该触发信号。

5.根据权利要求1所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其中每一上述侦测电路包括：

一PMOS晶体管，耦接于所属模块电路的电源端与一第一节点之间；

一电阻，耦接于该第一节点与一第二节点之间；

一电容，耦接于该第二节点与所属模块电路的接地端之间；

一第一反相器，耦接该第二节点，接收该第二节点的电压；

一第二反相器，耦接该第一反相器，接收该第一反相器的输出；以及

一第三反相器，耦接该第一节点与该第二反相器，接收该第一节点的电压，该第三反相器的输出使对应的该传导路径导通或截止。

6.根据权利要求5所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其中所述的第一反相器和该第二反相器的高压端皆耦接该第一节点，该第一反相器和该第二反相器的低压端皆耦接所属模块电路的接地端，该第三反相器的高压端耦接所属模块电路的电源端，该第三反相器的低压端耦接该第二反相器的输出端。

7.根据权利要求1所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于更包括：

一分压电路，耦接于该静电放电保护电路的电源端与接地端之间，并耦接每一上述模块电路的电源端与接地端，将该静电放电保护电路的电源端与接地端之间的跨压均分，使每一上述模块电路的电源端与接地端之间的跨压相等。

8.一种利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其包括：

一第一PMOS晶体管，耦接于一电源端与一第一节点之间；

一电阻，耦接于该第一节点与一第二节点之间；

一电容，耦接于该第二节点与一接地端之间；

一第一反相器，耦接该第二节点，接收该第二节点的电压；

一第二反相器，耦接该第一反相器，接收该第一反相器的输出；

一第三反相器，耦接该第一节点与该第二反相器，接收该第一节点的电压；以及

一传导路径，耦接该电源端，根据该第三反相器的输出而导通或截止。

9.根据权利要求8所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其中所述的传导路径包括一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管根据该第三反相器的输出而导通或截止。

10.根据权利要求8所述的利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于更包括：

一放电路径，耦接该传导路径与该接地端，将一静电放电脉冲导入该接地端，其中该传导路径输出一触发信号，使该放电路径导通。

11.一种利用低压元件实现的低漏电高压电源静电放电保护电路，其特征在于其包括：

一第一PMOS晶体管，耦接于一电源端与一第一节点之间；

一反应电路，耦接于该第一节点；该反应电路侦测该电源端的静电放电脉冲并将侦测结果反映至一第二节点与该第一节点；

一反相器，耦接该第一节点，接收该第一节点的电压，以根据该第一节点与该第二节点的电压作对应的输出；以及

一传导路径，耦接该电源端，根据该反相器的输出而导通或截止。