[发明专利]一种沉积掺杂多晶硅机台有效
申请号: | 200910171845.6 | 申请日: | 2009-09-07 |
公开(公告)号: | CN102011099A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 邹同征 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;H01L21/205 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉积 掺杂 多晶 机台 | ||
1.一种沉积掺杂多晶硅机台,所述机台包括炉管和设置在所述炉管一侧的多个气嘴,所述多个气嘴各具有出口,其特征在于,所述出口的排列使气嘴所释放出的掺杂气体在所述炉管内纵向均匀分布。
2.根据权利要求1所述的机台,其特征在于,所述炉管内从上至下具有第一至第七控片放置位,所述气嘴的数量为三个,所述气嘴分别为第一气嘴、第二气嘴和第三气嘴,其中,
所述第一气嘴上设置有一个出口,所述第一气嘴的出口对应所述炉管的底部;所述第二气嘴上设置有四个出口,所述第二气嘴的出口从上至下分别对应所述炉管内的第四至第七控片放置位;所述第三气嘴上设置有四个出口,所述第三气嘴的出口从上至下分别对应所述炉管内的第一至第四控片放置位。
3.根据权利要求1或2所述的机台,其特征在于,所述出口的孔径大小为使气嘴所释放出的掺杂气体在所述炉管内纵向均匀分布的尺寸。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的