[发明专利]一种沉积掺杂多晶硅机台

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅制造技术，尤其涉及一种能够改善RS均匀性的沉积掺杂多晶硅(DPOLY)机台。

背景技术

现有技术中，低压(Low Pressure，LP)炉管沉积掺杂多晶硅的工艺如图1所示，炉管内具有7个控片放置位，分别放置有7片控片(#1--#7)，把整个舟(boat)平均分成6个部分ABCDEF，每一部分内放置1批产品；同时，炉管的一侧设置有3根气嘴(1、2和3)，气嘴上设置有多个出口(图1中向右的箭头指示出口的位置)，用于释放掺杂气体PH₃。

上述沉积掺杂多晶硅工艺，由于受掺杂气体PH₃气嘴出口数目和位置的限制，造成炉管纵向不同位置产品之间的多晶硅薄层阻值(Resistance Seclusion，RS)差异较大，影响了产品的质量。

发明内容

本发明提供一种DPOLY机台，用于改善其所生产的DPOLY产品的RS均匀性。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种沉积掺杂多晶硅机台，所述机台包括炉管和设置在所述炉管一侧的多个气嘴，所述多个气嘴各具有出口，所述出口的排列使气嘴所释放出的掺杂气体在所述炉管内纵向均匀分布。

作为上述技术方案的优选，所述炉管内从上至下具有第一至第七控片放置位，所述气嘴的数量为三个，所述气嘴分别为第一气嘴、第二气嘴和第三气嘴，其中，

所述第一气嘴上设置有一个出口，所述第一气嘴的出口对应所述炉管的底部；所述第二气嘴上设置有四个出口，所述第二气嘴的出口从上至下分别对应所述炉管内的第四至第七控片放置位；所述第三气嘴上设置有四个出口，所述第三气嘴的出口从上至下分别对应所述炉管内的第一至第四控片放置位。

作为上述技术方案的优选，所述出口的孔径大小为使气嘴所释放出的掺杂气体在所述炉管内纵向均匀分布的尺寸。

本发明提供的DPOLY机台，由于其气嘴出口的排列方式能够使气嘴所释放出的掺杂气体在炉管内纵向均匀分布，因此，本发明能够减少炉管纵向不同产品的阻值差异，改善所生产的DPOLY的RS均匀性。

附图说明

图1为现有技术中DPOLY机台的结构示意图；

图2为图1所示DPOLY机台中炉管各槽内产品的特性曲线；

图3为本发明对图1所示DPOLY机台改善后的结构示意图；

图4为图3所示DPOLY机台中炉管各槽内产品的特性曲线。

具体实施方式

为解决现有技术DPOLY机台中炉管纵向不同位置产品之间的阻值差异大，影响了产品质量的问题，本发明提供一种DPOLY机台。下面结合附图对本发明作详细说明。

本发明提供一种DPOLY机台，如图3所示，它包括炉管4和设置在炉管4一侧的多个气嘴(1、2和3)，多个气嘴各具有出口(图3中向右的箭头指示出口的位置)，出口的排列使气嘴所释放出的掺杂气体在炉管4内纵向均匀分布。

本发明的DPOLY机台，由于其气嘴出口的排列方式能够使气嘴所释放出的掺杂气体在炉管内纵向均匀分布，因此，本发明能够减少炉管纵向不同产品的阻值差异，改善所生产的DPOLY的RS均匀性。

下面详细介绍一下现有技术中炉管纵向不同位置产品之间的阻值差异较大的原因，以及本发明所采用的技术方案。

如图1所示，现有技术中的DPOLY机台是在炉管4一侧设置有三个气嘴(1、2和3)，其中，气嘴1上有一个出口(图1中向右的箭头指示出口的位置)，气嘴1的出口对应炉管4的底部；气嘴2上有三个出口，气嘴2的出口对应炉管4的中下部；气嘴3上有三个出口，气嘴3对应炉管4的中上部。

由于气嘴所释放出的掺杂气体PH3是从下往上走的，局限于图1中气嘴出口的排列方式，#1控片处于气流到达的最末端，#4和#7控片处于气嘴2和气嘴1的最末端，因此，实际到达这三个地方的气体量相对较少，导致#1、#4、#7控片掺杂气体浓度较低，阻值较高。相对应的产品，A boat上半部分，C boat下半部分，D boat上半部分和F boat下半部分阻值也较高，即整个boat的阻值呈图2所示的“W”状分布。

针对上述阻值不均匀的问题，本发明所采用的技术方案是：重新设计气嘴出口的排列方式，使气嘴所释放出的掺杂气体能够在炉管内纵向均匀分布，从而减少炉管纵向不同产品的阻值差异，改善RS均匀性。实施时，可以在气体最难达到的死角位置，增加气嘴出口，并适当改变同一根气嘴上不同出口的尺寸，来达到炉管纵向掺杂的均匀，从而减少纵向不同产品的阻值差异。