[发明专利]液晶显示设备的制造方法

权利要求书

1.一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括以下步骤：

在基板上形成选通线和栅极，所述栅极位于所述基板的开关区域内；

在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；

形成顺序地定位在所述栅绝缘层上的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层 和铜组材料层，所述铜组材料是铜和铜合金中的一种；

在所述铜组材料层上形成第一和第二光刻胶图案，其中所述第一光 刻胶图案对应于所述开关区域并且包括第一部分到第三部分，其中第三 部分位于第一部分和第二部分之间且其厚度小于第二光刻胶图案以及第 一部分和第二部分的厚度，并且其中第二光刻胶图案对应于所述基板的 数据区域；

利用第一和第二光刻胶图案对所述铜组材料层进行构图，以形成第 一光刻胶图案下方的源-漏图案和第二光刻胶图案下方的数据线；

对第一和第二光刻胶图案进行灰化以去除第三部分，由此在灰化的 第一和第二光刻胶图案之间以及灰化的第一部分和第二部分之间所露出 的数据线和源-漏图案的部分形成铜氧化物膜；

对所述铜氧化物膜进行脱氧或去除；

在对所述铜氧化物膜进行脱氧或去除之后进行等离子体处理，以将 所述数据线和所述源-漏图案的露出部分改变为铜化合物；

利用铜化合物去除溶液来去除所述铜化合物，以分别形成位于灰化 的第一部分和第二部分下方的源极和漏极，其中所述铜化合物去除溶液 基本上不与所述铜组材料反应；

利用源极和漏极作为蚀刻掩模来对源极和漏极之间的欧姆接触层的 一部分进行干刻，所述欧姆接触层通过对所述掺杂非晶硅层构图而形成； 以及

形成连接到所述漏极的像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜化合物去除溶液包括用 去离子水稀释的盐酸。

3.根据权利要求1所述的方法，其中对铜氧化物膜进行脱氧的步骤 利用包括氢气、氯化氢气体中的至少之一的脱氧气体来进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其中去除铜氧化物膜的步骤通过利 用氦气的物理蚀刻或利用乙酸的湿刻来进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中通过对掺杂非晶硅构图以形成 所述欧姆接触层的步骤是在对第一和第二光刻胶图案进行灰化之前通过 干刻来进行的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体处理利用包括溴 化氢气体、氯化氢气体、以及氯气中的至少之一的反应气体来进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理通过对掺杂 非晶硅进行干刻来进行以形成所述欧姆接触层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中对掺杂非晶硅进行干刻的步骤 利用包括氯化氢、四氯化碳、以及氯气中的至少之一的干刻气体来进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中当通过对所述掺杂非晶硅进行 构图来形成所述欧姆接触层时，通过对所述本征非晶硅进行构图来形成 有源层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜氧化物膜通过所述数 据线和源-漏图案的露出部分与灰化气体中的氧气的反应来形成。