[发明专利]液晶显示设备的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示设备，更具体地，涉及一种液晶显示(LCD) 设备的制造方法。

背景技术

本发明要求2008年10月22日提交的韩国专利申请No.2008-0103775 的优先权，此处以引证的方式并入其全部内容，就像在此进行了完整阐 述一样。

直到最近，显示设备通常使用阴极射线管(CRT)。目前，做出了很 多努力和研究来研发作为CRT的替代品的各种平板显示器，诸如液晶显 示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器、以及电致 发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，LCD设备具有多项优点，例 如分辨率高、重量轻、外形薄、体积小，以及低电压电源要求。

总体而言，LCD设备包括彼此隔开并相对的两个基板，液晶材料夹 在两个基板之间。两个基板包括彼此相对的电极，使得在电极之间施加 的电压感应穿过液晶材料的电场。液晶材料中液晶分子的排列根据感应 电场的强度而改变为感应电场的方向，由此改变LCD设备的光透射率。 因而，LCD设备通过改变感应电场的强度来显示图像。

图1是示出根据相关技术的LCD设备的阵列基板的示意平面图。

参照图1，阵列基板包括选通线20和数据线30，其彼此交叉以在基 板10上限定像素区域P。薄膜晶体管T位于像素区域P中，并连接到相 应的选通线20和数据线30。薄膜晶体管T包括栅极25、半导体层、以 及源极32和漏极34。半导体层包括本征非晶硅的有源层40和掺杂非晶 硅的欧姆接触层。

像素电极70位于像素区域P中，并连接到薄膜晶体管T。像素电极 70通过露出漏极34的漏接触孔CH1连接到漏极34。

图2A到2G是沿着图1的II-II线截取的截面图，示出了图1的阵列 基板的制造工序。

参照图2A，在基板10上沉积金属层。基板10包括开关区域S、像 素区域P、以及数据区域D。用第一掩模对金属层构图以形成选通线(图 1的20)和栅极25。栅极形成在开关区域S中。金属层由铜(Cu)、钼 (Mo)、铝(Al)、铝合金、铬(Cr)之一制成。在具有栅极25的基板 10上形成栅绝缘层45。

参照图2B，在栅绝缘层45上形成本征非晶硅层和掺杂非晶硅层， 并且用第二掩模对其构图以形成有源层40和位于有源层40上的欧姆接 触层41。半导体层42包括有源层40和欧姆接触层41。

参照图2C，在具有半导体层42的基板10上顺序地沉积金属层75 和光刻胶层80。金属层75由铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铝合金、铬 (Cr)之一制成。

第三掩模位于光刻胶层80上方。第三掩模包括透射部分T1和阻挡 部分T2。光刻胶层80可以是正型光刻胶。透射部分T1被定位在阻挡部 分T2之间，对应于开关区域S。此外，阻挡部分T2被定位为对应于数 据区域D。

参照图2D，对光刻胶层(图2C的80)进行曝光工序和显影工序以 形成第一到第三光刻胶图案81到83。第一和第二光刻胶图案81和82之 间的距离CD1是约5μm，与第三掩模的设计值相同。

参照图2E，利用第一到第三光刻胶图案81到83作为蚀刻掩模对金 属层(图2D的75)进行湿刻，以形成源极32和漏极34以及数据线30。 当金属层由铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铝合金、铬(Cr)之一制成 时，不能对金属层进行干刻，因而对金属层进行湿刻。过氧化氢(H₂O₂) 组蚀刻溶液用作金属层的蚀刻剂。然而，在湿刻工序中，蚀刻剂会在第 一和第二光刻胶图案81和82的侧部下方流动，由此对于金属层可能出 现过度蚀刻。过度蚀刻造成源极32和漏极34以及数据线30的宽度减少。 因此，源极32和漏极34之间的距离CD2大于作为源极32和漏极34之 间的期望距离的距离CD1。

参照图2F，利用源极32和漏极34作为蚀刻掩模对欧姆接触层41 进行干刻。通过干刻工序，形成分离的欧姆接触层41，欧姆接触层41之 间的距离是源极32和漏极34之间的距离CD2。因此，期望距离CD2为 约5μm，而在两个侧边中的每一个侧边，距离CD2增加约1μm。换句话 说，距离CD2变为约7μm。