[发明专利]热电元件

权利要求书

1.一种热电元件，包括：

多个pn结，每个pn结通过结合n-型热电半导体和p-型热电半导体及设置在n-型热电半导体和p-型热电半导体之间的金属层来形成；

第一电极和第二电极，第一电极电连接到n-型热电半导体，第二电极电连接到p-型热电半导体，

其中，所述多个pn结与设置在所述多个pn结之间的绝缘层层叠，并且所述多个pn结彼此并联电连接。

2.如权利要求1所述的热电元件，其中，所述多个pn结中的至少一个pn结的n-型热电半导体和p-型热电半导体由具有不同于另一个pn结的导热率的导热率的材料形成。

3.如权利要求2所述的热电元件，其中，n-型热电半导体和p-型热电半导体的材料的导热率对应于所述多个pn结的层叠方向从上部到下部增加。

4.如权利要求1所述的热电元件，其中，所述多个pn结的层叠方向与热电元件中的热流的方向相同。

5.如权利要求1所述的热电元件，其中，金属层由与形成第一电极和第二电极的材料相同的材料形成。

6.如权利要求1所述的热电元件，其中，第一电极是所述多个pn结中的每个pn结中的n-型热电半导体的共电极。

7.如权利要求1所述的热电元件，其中，第二电极是所述多个pn结中的每个pn结中的p-型热电半导体的共电极。

8.如权利要求1所述的热电元件，其中，沿包括所述多个pn结的结构的横向方向布置第一电极和第二电极。

9.如权利要求8所述的热电元件，其中，第一电极和第二电极布置为彼此面对。

10.如权利要求1所述的热电元件，其中，n-型热电半导体与第一电极接触，p-型热电半导体与第二电极接触，且n-型热电半导体被布置成与第二电极隔开，p-型热电半导体被布置成与第一电极隔开。

11.如权利要求10所述的热电元件，所述热电元件还包括分别形成在n-型热电半导体和第二电极之间及p-型热电半导体和第一电极之间的绝缘材料。

12.如权利要求1所述的热电元件，所述热电元件还包括对应于所述多个pn结的层叠方向在位于所述多个pn结的顶部的pn结的上表面上顺序形成的陶瓷层和吸热层。

13.如权利要求12所述的热电元件，其中，包含在陶瓷层中的陶瓷材料是氧化铝。

14.如权利要求1所述的热电元件，所述热电元件还包括对应于所述多个pn结的层叠方向在位于所述多个pn结的底部的pn结的下表面上形成的散热器。

15.如权利要求1所述热电元件，所述热电元件还包括：

电源，连接到第一电极和第二电极以形成电路，

其中，电源使电流流过所述多个pn结，使从所述多个pn结的一侧吸收的热沿着所述多个pn结的层叠方向传递。

16.如权利要求1所述的热电元件，所述热电元件还包括：

电阻器件，连接到第一电极和第二电极以形成电路，

其中，通过从所述多个pn结的一侧吸收的热使电流流过所述多个pn结和电阻器件。

17.如权利要求1所述的热电元件，其中，绝缘层由陶瓷材料形成。