[发明专利]双区离子束碳沉积

权利要求书

1.一种用于离子束沉积工艺的离子源，其中所述源包括：

由源材料构成的至少两个共轴圆柱阳极；

用作阴极和电子源的灯丝；

其中，不同的电压被分别施加到所述至少两个共轴圆柱阳极，并且来自所 述灯丝的电子撞击所述至少两个共轴圆柱阳极以产生所述源材料的离子束，以 便在衬底上不同的共轴区中沉积不同厚度的源材料。

2.如权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述离子源包括两个阳极。

3.一种在衬底上沉积源材料的方法，包括：

使用权利要求1或2所述的离子源以在衬底上沉积源材料；

其中对所述离子源中的所述共轴圆柱阳极施加的不同的电压被调节，以在 衬底上沉积源材料的多个共轴区；以及

其中源材料的所述共轴区各自的厚度不同。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底是磁记录介质圆盘。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述源材料是碳。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，更接近所述圆盘的中心的碳 的共轴区的厚度大于离所述圆盘的中心较远的碳的共轴区的厚度。

7.一种在衬底圆盘上沉积源材料的方法，包括：

在衬底圆盘上沉积至少一个磁性层；以及

使用权利要求1或2所述的离子源以在所述磁性层上沉积含碳层；

其中对所述离子源中的共轴圆柱阳极施加的不同的电压被调节，以在所述 磁性层上沉积碳的多个共轴区；并且

其中更接近所述圆盘的中心的碳的共轴区的厚度大于离所述圆盘的中心 较远的碳的共轴区的厚度。