[发明专利]双区离子束碳沉积

说明书

背景技术

当沉积用于耐磨防护的类金刚石碳层时，沉积两层或更多层的碳—— 各层具有不同的厚度；较厚的层位于激光纹理区而较薄的层位于数据 区——是有益的。较厚的层提供耐磨防护，而较薄的层给予磁头更接近于 介质飞行因此提供更好的磁性能的优势。

当通过离子束沉积法来沉积碳时，由于空间原因或实际成本原因，因 为处理室的数量有限，所以利用两个或更多离子源通常是不可能的。

发明内容

本发明涉及一种用于离子束沉积的离子源，其包括多个阳极，其中离 子源沉积源材料的多个区，而且多个区中的至少两个的厚度不同。

在以下详细描述中，通过阐述所构想的用于实现本发明的最佳模式， 示出和描述了本发明的优选实施方式。正如可以认识到的，本发明能够有 其他且不同的实施方式，并且其细节能有多个显而易见的方面上的修改， 所有这些均没有背离本发明。因此，附图和描述本质上被认为是说明性的 而非限制性的。

附图说明

通过参考结合附图的详细描述，能更好地理解本发明，其中：

图1示意性地示出包括两个共轴阳极圆柱体的离子束沉积源。

图2描述处于接地状态的本发明的实施方式的静电场。

具体实施方式

通过调节到达圆盘的碳离子流量分布，利用单个离子束源沉积类金刚 石碳层的两个共轴区，其中两个碳层分别具有不同的厚度。这可通过改变 离子源以将大部分的离子传送至内激光纹理区并使较小部分沉积在数据区 中来实现。改变离子源以使其具有两个共轴阳极圆柱体。对各个圆柱体施 加单独的正电压，并通过调节各个圆柱体上的电压来控制碳层的厚度。图1 中示出了示意图。

本发明的一个实施方式是一种用于离子束沉积的离子源，其包括多个 阳极，其中该离子源沉积源材料的多个区，而且多个区中的至少两个的厚 度不同。在一种变化中，离子源包括多个共轴阳极。在另一种变化中，离 子源包括两个共轴阳极。根据一种实现方式，对多个阳极施加不同的电压。

本发明的另一实施方式是一种在衬底上沉积源材料的多个共轴区的方 法，其中共轴区各自的厚度不同，该方法包括提供衬底、提供包括共轴阳 极圆柱体的离子源、以及调节对该共轴阳极施加的电压。在一种变化中， 该离子源包括两个共轴阳极圆柱体。

根据一种实现方式，更接近圆盘中心的共轴区中的碳层厚度大于离圆 盘中心更远的共轴区中的碳层厚度。

另一实施方式是一种制造磁记录介质的方法，包括获得衬底、沉积至 少一个磁性层、以及在最上部的磁性层上沉积含碳层，其中含碳层通过离 子束沉积方法沉积在具有不同的各自厚度的多个共轴区中。

本发明的另外的实施方式是一种记录介质，其从下到上包括：

(1)衬底：经抛光的玻璃、玻璃陶瓷、或Al/NiP。

(2)粘接层，以确保功能层牢固附着到衬底上。技术人员 可一个以上该层以获得更好的粘接，或如果粘接良好则可以忽略 该层。示例包括Ti合金。

(3)软底层(SUL)，包括各种设计类型，包括单SUL、 反铁磁耦合(AFC)结构、层叠的SUL、具有钉扎层的SUL(也 称作反铁磁交换偏置层)、等等。SUL材料的示例包括：Fe_xCo_yB_z基和Co_xZr_yNb_z/Co_xZr_yTa_z基系列。

(4)籽层和中间层是用于Co(00.2)生长的模板。示例是 RuX系列的材料。