[发明专利]具有对称外部介电层的无核基板封装无效
申请号: | 200910173349.4 | 申请日: | 2009-06-30 |
公开(公告)号: | CN101685782A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | J·索托冈萨雷斯;T·吴;P·奥勒;M·罗伊;S·李;R·欧默多 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;B81C3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 毛 力;袁 逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 对称 外部 介电层 无核 封装 | ||
1.一种方法,包括:
在支承材料上形成封装基板;
在所述封装基板上形成干膜光致抗蚀剂层;
从所述封装基板移除所述支承材料;
移除所述干膜光致抗蚀剂层;以及
修整所述基板以用于封装。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,修整所述基板包括:
将焊接光致抗蚀剂施加到所述基板上;以及
使用SF工艺施加金属层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,施加金属层包括施加Ni层、 接着施加Pd层、然后施加Au层。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述Ni层比所述Pd层及所述 Au层厚。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述Ni层比所述Pd层至少厚 10倍。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,修整所述基板还包括:将焊球 施加到所述金属层的至少一部分。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,构建封装基板包括:
直接在所述支承材料上电镀金属图案;以及
在所述金属图案上施加绝缘体。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,电镀金属图案包括将一系列金 属层电解地施加到所述支承材料上。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述一系列金属层包括Cu、 接着Ni、然后Cu。
10.如权利要求7所述的方法,其特征在于,电镀金属图案包括:
直接在所述支承材料上图案化光致抗蚀剂;
在电解电镀期间使用所述光致抗蚀剂图案来定义所述金属图案;以及
剥离所述光致抗蚀剂。
11.如权利要求7所述的方法,其特征在于,电镀金属图案包括直接在所 述支承材料上电解地施加Cu层。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述支承材料是Cu板。
13.一种封装基板,包括:
多个绝缘体层,由连续的层叠形成;
多个接触件,通过将接触件电镀到支承材料上、使用干膜光致抗蚀剂层覆 盖所述接触件、移除所述支承材料、移除所述干膜光致抗蚀剂并且修整所述接 触件来形成。
14.如权利要求13所述的封装基板,其特征在于,还包括钻穿所述绝缘体 层以与至少一个接触件连接的通孔。
15.如权利要求14所述的封装基板,其特征在于,还包括与在所述支承材 料被移除之后形成于通孔上的多个接触相对的阻焊剂连接器。
16.如权利要求13所述的封装基板,其特征在于,通过将焊接光致抗蚀剂 施加到所述基板上,并且使用SF工艺施加金属层来修整所述基板。
17.如权利要求13所述的封装基板,其特征在于,将接触件电镀到所述支 承材料上包括施加Ni层、接着施加Pd层、然后施加Au层。
18.如权利要求17所述的封装基板,其特征在于,所述Ni层比所述Pd层 及所述Au层厚。
19.如权利要求13所述的封装基板,其特征在于,将接触件电镀到所述支 承材料上包括:
直接在临时核心上图案化光致抗蚀剂;
在电解电镀期间使用所述光致抗蚀剂图案定义所述金属图案;以及
剥离所述光致抗蚀剂。
20.如权利要求19所述的封装基板,其特征在于,电镀金属图案包括直接 在所述支承材料上电解地施加Cu层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造