[发明专利]具有对称外部介电层的无核基板封装

说明书

背景技术

技术领域

本发明涉及用于封装和安装半导体及微机械管芯的基板领域，尤其涉及在 支承材料上构建无核基板并于随后在完成基板之前移除核心。

背景技术

集成电路和微机械结构典型地成群形成在晶片上。晶片通常是硅之类的基 板，并且在随后被切割成管芯，以使得每个管芯都包含一个集成电路或者微机 械结构。每个管芯随后被安装到基板上，并且通常在随后被封装。基板将管芯 连接到印刷电路板、插槽或其它连接。封装支承或保护管芯，并且还可提供诸 如隔离、绝缘、热控制等其它一些功能。

用于这些用途的基板典型地由预浸渍有环氧树脂材料的玻璃布层制成，诸 如通常用于印刷电路板的预浸渍层叠FR-4。连接焊盘和导电铜迹线随后被形成 于基板上以提供管芯及其所安装至的系统之间的互连。

为了降低z高度并改善电性连接，使用无核基板。在无核基板中，连接焊 盘和导电迹线首先形成于核心上。在这些结构形成之后，上面形成有连接的核 心被移除。由于预浸渍核心可以具有800或以上微米的厚度，因此移除它可以 降低基板的高度超过一半。对于某些无核技术，使用铜核心而不是预浸渍核心。

但是，形成无核基板在提供足够的结构刚性和适当热特性时存在挑战。另 外，在核心上形成诸层具有限制，因为仅仅最终基板的一侧可访问，而另外一 侧被支承材料所阻挡。

附图说明

本发明的实施例在附图的图示中示例而非限制进行图解，在这些附图中， 类似附图标记用于指代类似特征，并且其中：

图1是根据本发明的一实施例的附连到系统板并且承载有管芯的无核基板 的截面侧视图；

图2A是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的开始阶段的 图示；

图2B是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的图案化阶段 的图示；

图2C是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的电镀阶段的 图示；

图2D是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的剥离阶段的 图示；

图2E是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的成层阶段的 图示；

图2F是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的钻通孔阶段的 图示；

图2G是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的无电电镀阶 段的图示；

图2H是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的图案化阶段 的图示；

图2I是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的电镀阶段的图 示；

图2J是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的蚀刻阶段的图 示；

图2K是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的成层阶段的 图示；

图2L是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的成层阶段的 图示；

图2M是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的图案化阶段 的图示；

图2N是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的DFR层压阶 段的图示；

图2O是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的核心分离阶 段的图示；

图2P是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的DFR剥离阶 段的图示；

图2Q是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的SR涂敷阶段 的图示；

图2R是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的金属涂敷阶 段的图示；

图2S是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的预焊接阶段的 图示；

图2A是根据本发明的一实施例的用于制造无核基板的工艺的开始阶段的 图示；

图3是根据本发明的一施例的任一侧上形成有无核基板的支承材料的截面 侧视图；以及

图4是根据本发明的一实施例的形成在支承材料的一侧上的无核基板的截 面侧视图。

具体实施方式