[发明专利]电容结构

权利要求书

1.一种电容结构，包括：

第一电极层；

第一介电层，设于该第一电极层上；以及

第二电极层，设于该第一介电层上，

其中该第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使该第一电极层与该第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。

2.如权利要求1所述的电容结构，其中该第一电极层具有凹凸结构，该第二电极层为平面电极。

3.如权利要求1所述的电容结构，其中该第一电极层为平面电极，该第二电极层具有凹凸结构。

4.如权利要求1所述的电容结构，其中该第一电极层与该第二电极层皆具有凹凸结构。

5.如权利要求1所述的电容结构，还包括：

第二介电层，设于该第二电极层上；以及

第三电极层，设于该第二介电层上。

6.如权利要求5所述的电容结构，其中该第三电极层为平面电极。

7.如权利要求5所述的电容结构，其中该第三电极层具有凹凸结构。

8.如权利要求5所述的电容结构，还包括：

第三介电层，设于该第三电极层上；以及

第四电极层，设于该第三介电层上。

9.如权利要求8所述的电容结构，其中该第三电极层为平面电极。

10.如权利要求8所述的电容结构，其中该第三电极层具有凹凸结构。

11.如权利要求1所述的电容结构，其中该两种不同距离为两种不同垂直距离。

12.如权利要求1-11任一所述的电容结构，其中该凹凸结构具有两种以上深度的凹口，使该第一电极层与该第二电极层之间具有两种以上的不同距离。

13.如权利要求1-11任一所述的电容结构，其中该凹凸结构具有两种以上高度的凸出部，使该第一电极层与该第二电极层之间具有两种以上的不同距离。

14.如权利要求1-11任一所述的电容结构，其中该凹凸结构具有两种以上高度的凸出部与两种以上深度的凹口。

15.如权利要求1-11任一所述的电容结构，还包括至少一导孔，以串联或并联方式连结该电容结构至另一电容结构。

16.一种电容结构，包括：

第一电极层；

第一介电层，设于该第一电极层上；

第二电极层，设于该第一介电层上；以及

第一导孔，穿过该第一介电层连接该第一或第二电极层；

其中该第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使该第一电极层与该第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果；

其中该第一或第二电极层通过该第一导孔连接至接地端或电源端。

17.如权利要求16所述的电容结构，还包括：

第二导孔，穿过该第一介电层且不与该第一电极层及第二电极层连接，用以传递信号。

18.如权利要求17所述的电容结构，其中该电容结构包括两个该第二导孔，且该两个第二导孔之间具有该凹凸结构的凸出部分，且该凸出部分的第一电极层与第二电极层分别连接至接地端及电源端。

19.如权利要求16所述的电容结构，其中该两种不同距离为两种不同垂直距离。