[发明专利]硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及LED装置有效
申请号: | 200910173727.9 | 申请日: | 2009-09-10 |
公开(公告)号: | CN101673716A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 柏木努;塩原利夫 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L21/48;H01L33/00;C08L83/07;C08L83/05 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 日本东京千代*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅氧积层基板 及其 制法 树脂 组成 以及 led 装置 | ||
1.一种硅氧积层基板,其是具有玻璃布、以及
填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物
而成,此硅氧积层基板的特征在于:
所述硅氧树脂组成物包括如下成分:
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷,其包含R1SiO1.5单元、R22SiO单元以及 R3aR4bSiO(4-a-b)/2单元,其中,R1、R2以及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙 基、环己基或苯基,R4独立表示乙烯基或者烯丙基,a为0、1或者2,b为 1或者2,且a+b为2或者3,且
包含所述R22SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个 ~50个的结构;
(B)树脂结构的有机氢化聚硅氧烷,其包含R1SiO1.5单元、R22SiO单元以 及R3cHdSiO(4-c-d)/2单元,其中,R1、R2以及R3独立地如上所述,c为0、1或 者2,d为1或者2,且c+d为2或者3,且
包含所述R22SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个 ~50个的结构:(B)成分中的硅原子上键合的氢原子相对于(A)成分中的乙 烯基与烯丙基的总量以摩尔比计为0.1~4.0的量;
(C)铂族金属类催化剂:有效量;以及
(D)填充剂:相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为900重量份 以下,
所述(A)成分以及(B)成分中的一方或者两方含有硅醇基。
2.根据权利要求1所述的硅氧积层基板,其特征在于:所述硅氧树脂 组成物在室温下为固体状。
3.根据权利要求1所述的硅氧积层基板,其特征在于:与此硅氧积层 基板垂直的方向上的线膨胀系数在-100℃~200℃的范围内为50ppm/℃以 下。
4.根据权利要求1所述的硅氧积层基板,其特征在于:与此硅氧积层 基板平行的方向上的线膨胀系数在-100℃~200℃的范围内为10ppm/℃以 下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅氧积层基板,其特征在于:
所述硅氧积层基板用于LED装置,
(D)成分填充剂含有下述(D1)成分以及(D2)成分:
(D1)成分:下述(D2)成分以外的无机质填充剂,其中相对于(A)成分与 (B)成分的总量100重量份,所述(D1)成分为600重量份以下;以及
(D2)成分:白色颜料,其中所述(D2)成分为在所述硅氧积层基板需要 反射光线时含有,相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份,所述(D2) 成分为1重量份~300重量份。
6.根据权利要求5所述的硅氧积层基板,其特征在于:所述(D2)成分 为二氧化钛、氧化锌或者它们的组合。
7.根据权利要求5所述的硅氧积层基板,其特征在于:光反射率在整 个可见光区域中为80%以上。
8.根据权利要求5所述的硅氧积层基板,其特征在于:温度为260℃、 时间为60秒钟的红外回流焊处理后的光反射率在整个可见光区域中为80% 以上。
9.根据权利要求5所述的硅氧积层基板,其特征在于:在120℃下照 射波长为365nm、强度为30mW/cm2的紫外线24小时后的光反射率在整个 可见光区域中为80%以上。
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