[发明专利]硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及LED装置有效

专利信息
申请号: 200910173727.9 申请日: 2009-09-10
公开(公告)号: CN101673716A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 柏木努;塩原利夫 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L21/48;H01L33/00;C08L83/07;C08L83/05
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿 宁;张华辉
地址: 日本东京千代*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 硅氧积层基板 及其 制法 树脂 组成 以及 led 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种硅氧积层基板、此硅氧积层基板的制法、硅氧积层基 板制造用硅氧树脂组成物以及发光二极管(Light Emitting Diode,LED)装 置。硅氧积层基板例如可以举出LED装置用硅氧积层基板、电气电子零件 等的封装用硅氧积层基板。

背景技术

LED的封装基板或者电气电子零件等的封装基板大多是利用使环氧树 脂含浸在玻璃中的基板,但是,尚留有无铅问题、以及由于零件的发热或 光的影响而导致基板劣化的问题作为需解决的课题。而且,对于要求耐热 性的LED的封装基板,一直是使用氧化铝、氮化铝等的陶瓷,但是价格昂 贵且难以制成大型的基板。因此,一直在研究将耐候性、耐热性等特性优 异且被用于各种用途的硅氧积层基板也用作LCD的封装基板或者电气电子 零件等的封装基板。但是,以前的硅氧积层基板是使用缩合清漆或者加成 清漆来制造的,因此制法繁琐复杂,并且由于将铜箔等贴附在表面上而存 在粘着力弱的问题。

而且,当用作LED的封装基板或者电气电子零件等的封装基板时,要 求硅氧积层基板具有优异的耐龟裂性或耐冲击性。另外,对于制造硅氧积 层基板时所使用的硅氧树脂组成物,要求其能够利用以前的成型装置来固 化,期望其在室温下为固体状或者半固体状。

另外,与本发明相关的先行技术例如可以举出下述专利文献所记载的 技术。

[先行技术文献]

[专利文献]

专利文献1:US 2007/0013049A1

专利文献2:JP 2000-265073A

一般来说,当使用加成固化型的硅氧清漆积层基板组成物时,通常是 利用预固化(precure)使此组成物成为B阶(B stage)状态后,利用热压机 来制成积层基板,但存在步骤繁琐复杂、且无法获得充分的强度或加工性 的缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种机械特性、可挠性、加工性优异且表面粘 性小而操作容易的LED装置用硅氧积层基板等的硅氧积层基板,此硅氧积 层基板的制法,硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物以及LED装置。

本发明人为了解决所述课题而进行了努力研究,结果发现,利用下述 的包括LED装置用硅氧积层基板的硅氧积层基板、此硅氧积层基板的制法、 硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物以及LED装置可以解决所述课题,从 而完成了本发明。

即,本发明的第一发明提供了一种硅氧积层基板,其是具有 玻璃布、以及

填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物 而成,并且

所述硅氧树脂组成物包括下述成分:

(A)树脂结构的有机聚硅氧烷,其包含R1SiO1.5单元、R22SiO单元以及 R3aR4bSiO(4-a-b)/2单元(其中,R1、R2以及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、 环己基或者苯基,R4独立表示乙烯基或者烯丙基,a为0、1或者2,b为1 或者2,且a+b为2或者3),且

包含所述R22SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个 ~50个的结构;

(B)树脂结构的有机氢化聚硅氧烷,其包含R1SiO1.5单元、R22SiO单元以 及R3cHdSiO(4-c-d)/2单元(其中,R1、R2以及R3独立地如上所述,c为0、1或者 2,d为1或者2,且c+d为2或者3),且

包含所述R22SiO单元的至少一部连续重复而成、且其重复数为5个~ 50个的结构:(B)成分中的与硅原子键合的氢原子相对于(A)成分中的乙烯 基与烯丙基的总量以摩尔比计为0.1~4.0的量;

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