[发明专利]印制电路板的冲孔方法及印制电路板的冲孔装置无效

专利信息
申请号: 200910173848.3 申请日: 2006-03-02
公开(公告)号: CN101676059A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 荒井邦夫;菅原弘之;芦泽弘明;西山宏美 申请(专利权)人: 日立比亚机械股份有限公司
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;H05K3/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 张敬强
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 印制 电路板 冲孔 方法 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种通过脉冲状激光光束在印制电路板上加工孔的印制电路 板的冲孔方法及印制电路板的冲孔装置。

背景技术

现在,在表面第1层为导体层的n层的导体层与n层或(n-1)层的绝缘 层交互积层的印制电路板上使用UV激光器的脉冲状激光光束(以下,仅简称 为激光光束)冲孔的场合,加工的孔的直径为50μm或以上时,直径与孔入 口直径大体相等,需要多次照射能量分布在垂直于光轴的面方向上大体均匀的 帽顶帽盖光束或能量分布在垂直于光轴的面方向上为高斯曲线状的高斯光束 (以下称为“冲孔加工法”),或者使直径比孔入口直径小,直径为50μm或 以下的帽顶帽盖光束或高斯光束、,例如在圆周轨迹上移动的同时照射,并且 在半径方向上反复操作进行(以下称为“旋切钻孔法”)。

再者,对于激光光束加工处的定位使用光学扫描器扫描仪和集光聚光透镜,但 通过集光聚光透镜的大小确定的扫描区域相对印制电路板很较小。因此,若是 在扫描区域内的加工完成后,在下一个扫描区域使印制电路板与集光聚光透镜 在水平方向相对移动进行加工。

例如,专利文献1--特表平10-508798号公报上公开了通过紫外线光在由金 属与绝缘物等构成的材料上冲孔的技术。

另外,在专利文献2--特开平10-85976号公报及专利文献3-特开 2001-102720号公报上,作为在监控激光器加工状况的同时进行加工的装置, 公开了将偏振光光束分离器、分色镜等光束分离器就装放入在激光振荡器起振 器后或就放在加工对象物前的激光光束的光路内上,将来自激光加工对象物的 反射光或发射光发光从激光光束的光路偏向并而检测的激光加工装置,或者在 加工对象物附近从激光光路偏离的地方放置检测器,检测来自加工对象物的散 乱光散射光或发射光发光的激光加工装置。

可是,导体层的分解能量的界限值阈值和构成绝缘层的树脂分解能量界限 值阈值之差很大较大。因此,在表层为导体层的印制电路板上加工孔的场合时, 当将脉冲状的激光光束持续照射在同一处上时,形成在其下层的绝缘层上的孔 的直径比形成在导体层上的孔的直径大,从而或者导体层相对在绝缘层上形成 的孔成为悬挑外伸状,或者在绝缘层上形成的孔侧壁的深度方向的中间成为比 入口径大的滚筒琵琶筒(バレル)状。

对于或者导体层相对在绝缘层上形成的孔成为悬挑外伸状,或者绝缘层成 为滚筒琵琶状的孔,当进行高速电镀或电场电镀场电镀(从孔底开始升高电镀 再进行填孔的电镀法)时,则在导体层孔入口集中电镀集中,在电镀层易产生 中空部(空隙void)。因此,不能缩短电镀时间,不能提高加工效率。

另外,当将使能量密度适于导体层进行加工时,绝缘层厚度变化时了的场合, 不仅损伤孔底的导体层表面,而且有时会贯通孔底的导体层。

而且,在绝缘层含有玻璃的所谓玻璃基电路板的场合下,在有选择地完全 除去孔侧壁的树脂而形成的孔内部,玻璃纤维的突出变大。另外,有时也在与 超过需要地除去树脂并相邻的孔之间形成微小的间隙,通过电镀相邻的孔导 通。因此,不能使孔间间距变狭窄,从而不能实现将印制电路板变小的、,所 谓谋求基印刷电路板的高密度化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种解决上述现有技术中的问题,能谋求实现提高 加工效率及基电路板高密度化的印制电路板的冲孔方法。

本发明的另一目的在于提供一种利用适宜可以实现提高加工效率及基电路板 高密度化的印制电路板的冲孔方法的激光的印制电路板的冲孔装置,是能降低 现有的激光加工装置中没考虑的光学部件内部中的反射影响或由于通过透镜 集光聚光的光束穿过透射过倾斜的并列平板引起的光束形状的歪斜的印制电 路板的冲孔装置。

为了解决上述问题,本发明的第1方案,提供一种印制电路板的冲孔方法, 该印制电路板由导体层与绝缘层交互积层而成,一种导体层与绝缘层交互积层 的印制电路板加工方法,其特征在于,在监视加工部放射的发光的同时,求出 通过在上述导体层上脉冲状地照射能量密度设定为能加工上述导体层的值的 激光光束来在上述导体层上加工贯通孔所需要的照射次数,根据求出的照射次 数在该导体层的其它处加工贯通孔监控加工部放射的发射光发光的同时,向上 述导体层脉冲状地照射能量密度设定为能加工上述导体层的值的激光光束求 出在上述导体层上加工贯通孔需要的照射次数,根据求出的照射次数在该导体 层的其它待加工处加工贯通孔。

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