[发明专利]基于对聚焦敏感的成本协方差场的辅助特征布置

权利要求书

1.一种用于确定光学邻近校正OPC后掩膜布局内的辅助特征 布置的方法，所述方法包括：

接收代表OPC前掩膜布局中的成组多边形的成组目标图案；

基于所述目标图案来构造对聚焦敏感的成本函数，其中所述对 聚焦敏感的成本函数代表所述目标图案的OPC后轮廓由于光刻系统 的聚焦条件的改变所致的移动量，其中所述目标图案的轮廓与所述 成组多边形的边基本上重合；

基于所述对聚焦敏感的成本函数来计算成本协方差CCF场，其 中所述CCF场是二维2D映射，所述映射代表由于在所述OPC后掩 膜布局内的给定位置添加图案所致的、对所述对聚焦敏感的成本函 数的改变；以及

基于所述CCF场来生成用于所述OPC后掩膜布局的辅助特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述目标图案来构造 对聚焦敏感的成本函数包括：

定义轮廓移动度量其中代表轮廓映射上的强度I以 焦距F的改变为参照的改变，是所述强度I的梯度，而是与所述 成组目标图案的边垂直的归一化矢量；以及

通过针对所述成组目标图案的边对所述轮廓移动度量求积分来 构造所述对聚焦敏感的成本函数

3.根据权利要求2所述的方法，其中基于所述对聚焦敏感的成 本函数来计算所述CCF场包括：

以所述OPC后掩膜布局内进行的改变为参照对所述对聚焦敏感 的成本函数求微分以获得表达式

对于在所述掩膜布局内的位置P进行的各改变，使用所述表达 式来评估δC，其中位置P是用于布置辅助特征的候选位置；以及

基于在用于布置辅助特征的所有候选位置计算的δC值来形成所 述CCF场。

4.根据权利要求3所述的方法，其中针对各位置P计算δC包 括使用表达式来近似I(P₀)，以计算所述强 度I，其中U_k是相干系统求和SOCS近似中的成组2D内核，M是代 表所述OPC前掩膜布局的2D函数，而P₀是所述掩膜布局内的评估 点。

5.根据权利要求4所述的方法，其中针对各位置P计算δC还 包括使用以下针对δI(P₀)的表达式，来计算在所述OPC后掩膜布局 内的位置P添加少量图案δM对在评估点P0的强度I(P₀)的影响：

δI(P0)=Σk(∫M(P)Uk(P0-P)d2P)(∫δM(P)Uk(P0-P)d2P)+Σk(∫δM(P)Uk(P0-P)d2P)(∫δM(P)Uk(P0-P)d2P)+c.c.,]]>

其中所述针对δI(P₀)的表达式中的第一项代表δM对所述OPC后 掩膜布局的干扰；

其中所述针对δI(P₀)的表达式中的第二项代表在δM与在不同位 置布置的另一少量图案之间的互作用；

其中所述针对δI(P₀)的表达式中的符号c.c.代表所述第一项的复 共轭；并且

其中位置P在从所述评估点P₀离开一定距离处。