[发明专利]基于对聚焦敏感的成本协方差场的辅助特征布置

说明书

技术领域

本发明的实施例总地涉及用于设计和制造集成电路(IC)的技术。更具体而言，本发明的实施例涉及一种用于基于对聚焦敏感的成本协方差场(cost-covariance field)来确定掩膜布局中的辅助特征布置的技术。 

背景技术

半导体集成密度的巨大改进近年来主要由于导体制造技术的相应改进而已经变得可能。 

一种这样的制造技术涉及到在掩膜布局中布置辅助特征以提高掩膜布局上的、旨在印刷于晶片上的图案的焦深。这样的辅助特征可以是印刷辅助特征(例如超分辨率辅助特征)或者非印刷辅助特征(例如次分辨率辅助特征)。 

用于布置辅助特征的现有技术通常使用基于特征宽度和间距参数的组合来布置和清除辅助特征的掩膜规则。遗憾的是，这样基于规则的方式可能导致对辅助特征的失败或者欠优布置和/或清除。另外，这样的规则的复杂度随着特征尺寸的收缩而迅速地增加，由此要求增加设计者部分的工作。另外，这些规则可能限制过多，这可能妨碍设计者实现最优半导体器件性能。 

与基于规则的方式相比，基于模型的辅助特征(AF)布置技术具有有助于更快适应新制造工艺、实现“更顺畅”的AF布置并且减少对过度和复杂的清除和布置规则的需要这些优点。 

例如，一种基于模型的AF布置技术已经成功地用来基于光学模型来生成用于接触孔层的辅助特征。然而，由于用于接触孔层的这一布置技术基于使在接触中心的密度最大，所以该技术在它应用于 线间隔层时常常产生不正确的AF布置解决方案。 

另一基于模型的AF布置技术使用反向光刻技术(ILT)以产生辅助特征。通常通过构造使在图案边的图像对数斜率(ILS)最大的成本函数来生成这样的辅助特征。遗憾的是，基于ILT的AF布置技术不仅需要许多次迭代以收敛于解、而且常常产生不良的AF布置结果。 

因此，需要的是一种用于确定AF布置以提高用于布局的焦深而无上述问题的方法和装置。 

发明内容

本发明的一个实施例提供一种确定光学邻近校正后(OPC后)掩膜布局内的辅助特征布置的系统。在操作期间，该系统接收代表OPC前掩膜布局中的成组多边形的成组目标图案。然后，该系统基于目标图案来构造对聚焦敏感的成本函数，其中对聚焦敏感的成本函数代表目标图案的OPC后轮廓由于光刻系统的聚焦条件的改变所致的移动量。注意，目标图案的轮廓与成组多边形的边基本上重合。接着，该系统基于对聚焦敏感的成本函数来计算成本协方差场(CCF场)，其中CCF场是二维(2D)映射，该映射代表由于在OPC后掩膜布局内的给定位置添加图案所致的对聚焦敏感的成本函数的改变。最后，该系统基于CCF场来生成用于OPC后掩膜布局的辅助特征。 

在对这一实施例的一种变化中，该系统通过首先定义轮廓移动度量 从而基于轮廓映射来构造对聚焦敏感的成本函数，其中 代表轮廓映射上的强度I以焦距F的改变为参照的改变， 是强度I的梯度，而 是与成组目标图案的边垂直的归一化矢量。该系统然后通过针对成组目标图案的边对轮廓移动度量求积分来构造对聚焦敏感的成本函数 

在又一变化中，该系统通过首先以OPC后掩膜布局内进行的改变为参照对聚焦敏感的成本函数求微分以获得表达式 从而基于对聚焦敏感的成本函数来计算CCF场。接着，对于在掩膜布局内的位置P进行的各种改变，该系统使用该表达式来评估δC，其中位置P是用于布置辅助特征的候选位置。该系统然后基于在用于布置辅助特征的所有候选位置计算的δC值来形成CCF场。