[发明专利]执行全电源电压位线预充电方案的半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

位线对，包括位线和互补位线；

预充电单元，用于将所述位线和所述互补位线预充电至一电压，该电压为小于电源电压的第一电压；和

读出放大单元，包括由第一电流源驱动的、串联连接在所述位线和所述互补位线之间以便彼此交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与所述互补位线连接，而所述第二晶体管的栅极与所述位线连接，

其中，由所述第一晶体管或所述第二晶体管确定所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述预充电单元包括：

第三晶体管，连接在一节点和电源电压端之间，所述第一晶体管和第二晶体管以及所述第一电流源连接到该节点，所述第三晶体管由第一预充电信号控制；和

第四晶体管，连接在所述位线和所述互补位线之间并且由第二预充电信号控制。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二预充电信号在所述第一预充电信号被激活之后被激活预定时间段。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述读出放大单元还包括：第三晶体管和第四晶体管，由第二电流源驱动并且串联连接在所述位线和所述互补位线之间以便彼此交叉耦合，其中，所述第三晶体管的栅极与所述互补位线连接，而所述第四晶体管的栅极与所述位线连接，

其中，所述第一电压由所述第三晶体管或所述第四晶体管确定。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述读出放大单元的所述第一晶体管和第四晶体管中的每一个具有比所述读出放大单元的所述第二晶体管和第三晶体管中的每一个强的驱动能力。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述预充电单元包括：

第五晶体管，连接在一节点和第一电压端之间，所述第一晶体管和第二晶体管以及所述第一电流源连接到所述节点，所述第五晶体管由第一预充电信号控制；

第六晶体管，连接在一节点和所述第一电压端之间，所述第三晶体管和第四晶体管以及所述第二电流源连接到所述节点，所述第六晶体管由所述第一预充电信号控制；和

第七晶体管，连接在所述位线和所述互补位线之间，并且由第二预充电信号控制。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第二预充电信号在所述第一预充电信号被激活后而被激活预定时间段。

8.一种半导体存储器件，包括：

位线对，包括位线和互补位线；

读出放大单元，包括由第一电流源驱动并且连接在所述位线和所述互补位线之间的第一读出放大器、和由第二电流源驱动并且连接在所述位线和所述互补位线之间的第二读出放大器；

第一预充电单元，响应于第一预充电信号而对第一节点和第二节点预充电，其中所述第一读出放大器中的所述第一电流源连接至该第一节点，所述第二读出放大器中的所述第二电流源连接至该第二节点；和

第二预充电单元，响应于第二预充电信号，使所述第一节点和所述第二节点均衡。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述第一预充电单元包括：

第一晶体管，连接在所述第一节点和电源电压端之间并且由所述第一预充电信号控制；和

第二晶体管，连接在所述第二节点和所述电源电压端之间并且由所述第一预充电信号控制。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述第二预充电单元包括：第三晶体管，连接在所述位线和所述互补位线之间并且由所述第二预充电信号控制。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第二预充电信号在所述第一预充电信号被激活之后被激活预定时间段。

12.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述第一预充电单元包括：

第一晶体管，连接在所述第一节点和预充电电压端之间并且由所述第一预充电信号控制；和

第二晶体管，连接在所述第二节点和所述预充电电压端之间并且由所述第一预充电信号控制。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第二预充电单元包括：第三晶体管，连接在所述位线和所述互补位线之间并且由所述第二预充电信号控制。