[发明专利]非易失性存储器及其制造工艺

权利要求书

1.一种非易失性存储器的浮置栅极结构，包括导体间隙壁，所述导体间隙壁配置在突出于基底的隔离结构的侧壁上且与所述基底绝缘。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器的浮置栅极结构，其中所述导体间隙壁通过隧穿层与所述基底绝缘。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器的浮置栅极结构，其中所述非易失性存储器具有小于30纳米的关键尺寸。

4.一种非易失性存储器，包括：

基底；

多个第一隔离结构，配置在所述基底中且突出于所述基底；

多个浮置栅极，其为位于所述第一隔离结构的侧壁上的第一导体间隙壁，其中所述第一隔离结构突出于所述基底；以及

隧穿层，位于每一浮置栅极与所述基底之间。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器，还包括多个第二隔离结构，所述第二隔离结构的高度低于所述第一隔离结构的高度，其中

所述浮置栅极在列方向与行方向上排列，

每一所述第一与第二隔离结构在所述行方向上延伸，

所述第一隔离结构与所述第二隔离结构在所述列方向上交替排列，以及

每一第二隔离结构位于两行浮置栅极之间，其中所述两行浮置栅极分别位于两相邻的第一隔离结构的两相对侧壁上。

6.如权利要求4所述的非易失性存储器，还包括一列选择栅极，所述一列选择栅极为位于所述第一隔离结构的所述侧壁上的第二导体间隙壁。

7.如权利要求4所述的非易失性存储器，其中所述非易失性存储器具有小于30纳米的关键尺寸。

8.如权利要求4所述的非易失性存储器，其中所述浮置栅极在列方向与行方向上排列，且每一所述第一隔离结构在所述行方向上延伸，还包括：

多个字线，每一字线配置在一列浮置栅极上；以及

栅间介电层，配置在每一浮置栅极与在所述浮置栅极上的所述字线之间。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器，还包括多个第二隔离结构，所述第二隔离结构的高度低于所述第一隔离结构的高度且所述第二隔离结构在所述行方向上延伸，其中

所述第一隔离结构与所述第二隔离结构在所述列方向上交替排列，

每一第二隔离结构位于两行浮置栅极之间，其中所述两行浮置栅极分别位于两相邻的第一隔离结构的两相对侧壁上，以及

每一所述第一与第二隔离结构的宽度等于或小于在所述浮置栅极上的所述栅间介电层的二倍厚度。

10.如权利要求8所述的非易失性存储器，还包括：

一列选择栅极，其为位于所述第一隔离结构的所述侧壁上的第二导体间隙壁，其中所述第一隔离结构突出于所述基底；以及

选择线，配置在所述一列选择栅极上且接触所述一列选择栅极。

11.一种非易失性存储器的制造工艺，包括：

形成多个第一隔离结构，所述第一隔离结构配置在所述基底中且突出于所述基底；

在所述基底上形成隧穿层；以及

形成多个浮置栅极，所述多个浮置栅极为在所述第一隔离结构的侧壁上的第一导体间隙壁，其中所述第一隔离结构突出于所述基底。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器的制造工艺，还包括：在形成所述第一隔离结构的步骤中，形成高度低于所述第一隔离结构的多个第二隔离结构，其中

所述浮置栅极在列方向与行方向上排列，

每一所述第一与第二隔离结构在所述行方向上延伸，

所述第一隔离结构与所述第二隔离结构在所述列方向上交替排列，以及

每一第二隔离结构位于两行浮置栅极之间，其中所述两行浮置栅极分别位于两相邻的第一隔离结构的两相对侧壁上。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器的制造工艺，其中形成所述第一与所述第二隔离结构的所述步骤包括：

以图案化掩模层为蚀刻掩模，在所述基底中形成多个沟槽，其中所述图案化掩模层中具有对应于所述沟槽的间隙；

以多个绝缘层填满所述沟槽与所述间隙；

使部分所述绝缘层凹陷，因此凹陷的绝缘层与未凹陷的绝缘层交替排列；以及

移除所述图案化掩模层，使所述未凹陷的绝缘层形成所述第一隔离结构且所述凹陷的绝缘层形成所述第二隔离结构。