[发明专利]多重场板LDMOS器件及其加工方法无效
| 申请号： | 200910174438.0 | 申请日： | 2009-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101707208A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈强;马强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区独墅*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多重 ldmos 器件 及其 加工 方法 | ||
1.一种多重场板LDMOS器件，包括半导体本体(1)，其特征在于：所述半导体本体(1)表面设有至少两个场板(2)，所述每个场板(2)具有与半导体本体(1)表面平行的水平部分(21)，不同场板(2)的水平部分(21)与半导体本体(1)表面之间的距离不等。
2.根据权利要求1所述的多重场板LDMOS器件，其特征在于：所述场板(2)位于半导体本体(1)的漏漂移区(11)的上方。
3.根据权利要求1或2所述的多重场板LDMOS器件，其特征在于：所述至少两个场板(2)的水平部分(21)与半导体本体(1)表面的距离逐次递增。
4.根据权利要求3所述的多重场板LDMOS器件，其特征在于：所述至少两个场板(2)的水平部分(21)与半导体本体(1)表面的距离成均匀线性逐次递增。
5.一种多重场板LDMOS器件的加工方法，其特征在于包括以下步骤：
1)加工半导体本体(1)，包括了栅(19)的形成；
2)于半导体本体(1)的表面沉积一个介质层(3)，再于该介质层(3)上沉积一导电薄膜，所述导电膜经由光刻和腐蚀工艺形成第一个场板(2a)；
3)随后再依次沉积一个介质层(3)和导电薄膜，并经由光刻和腐蚀工艺形成第二个场板(2b)；
4)根据需要制作的场板的个数重复步骤3)。
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