[发明专利]使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法以及制造具有连通孔的制品的方法

权利要求书

1.一种通过使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法，包括以下步 骤：

在不平坦的衬底上制备包括第一绝缘膜的部件，其中第一绝缘膜 的表面已经经历依靠化学机械抛光的平坦化处理，以便减少基板的不 平坦性，在第一绝缘膜与衬底之间形成绝缘层；

在第一绝缘膜上设置一层；

在该层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通 孔的第二绝缘膜，该图形对应于所述布线沟槽和第一通孔；

通过使用第二绝缘膜作为掩模蚀刻第一绝缘膜，以便在第一绝缘 膜中形成第二通孔，第二通孔比第一通孔长并且连通到第一通孔，其 中，当在第一绝缘膜中形成第二通孔时，第二绝缘膜中的第一通孔基 本上被消除；以及

在所述布线沟槽和第二通孔中填充导电材料，

其中所述方法还包括去除暴露在第二通孔底部处的该绝缘层以形 成连通到第二通孔的第三通孔的步骤，并且其中在填充步骤中用该导 电材料填充第三通孔。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述层是在 模型与第一绝缘膜之间插入的可紫外线固化的树脂层，其中所述方法 还包括用紫外线照射该树脂层以便固化该树脂层并形成具有该布线沟 槽和第一通孔的第二绝缘膜的步骤，并且其中蚀刻第一绝缘膜的步骤 是选择性执行的。