[发明专利]硅基液晶面板及其制作方法有效
申请号: | 200910175132.7 | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN102023436A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 王冠雄;吴沂庭 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 及其 制作方法 | ||
1.一种硅基液晶面板,包含:
基底,该基底上设有至少一金属氧化物半导体晶体管;
像素电极阵列设于该基底上;
多个具有至少两种不同色彩的彩色滤光片设于该像素电极阵列上,相邻的该多个彩色滤光片间均具有间隔,且至少两个彩色滤光片为非共平面;
无机薄膜设于该多个彩色滤光片上及该多个间隔内;以及
有机薄膜全面性设于该无机薄膜表面。
2.如权利要求1所述的硅基液晶面板,其中该多个彩色滤光片包含红色滤光片、绿色滤光片或蓝色滤光片。
3.如权利要求1所述的硅基液晶面板,其中该无机薄膜是选自旋涂式玻璃薄膜、场氧化旋涂式玻璃薄膜、等离子体增强氧化层及四乙氧基硅烷。
4.如权利要求1所述的硅基液晶面板,其中该有机薄膜是选自平坦化光致抗蚀剂及缓冲层式光致抗蚀剂。
5.如权利要求1所述的硅基液晶面板,其中该有机薄膜包含负型光致抗蚀剂。
6.如权利要求1所述的硅基液晶面板,其中该无机薄膜的厚度是介于2100埃至3100埃。
7.如权利要求1所述的硅基液晶面板,其中该有机薄膜的厚度是介于10000埃至12000埃。
8.一种制作硅基液晶面板的方法,包含:
提供基底,该基底上设有至少一金属氧化物半导体晶体管;
形成像素电极阵列于该基底上;
形成多个具有至少两种不同色彩的彩色滤光片于该像素电极阵列上,相邻的该多个彩色滤光片之间均具有间隔,且至少两个彩色滤光片为非共平面;
形成无机薄膜于该多个彩色滤光片上及该多个间隔内;以及
形成有机薄膜于该无机薄膜表面。
9.如权利要求8所述的方法,其中该多个彩色滤光片包含红色滤光片、绿色滤光片或蓝色滤光片。
10.如权利要求8所述的方法,另包含利用旋转涂布工艺来形成该无机薄膜。
11.如权利要求8所述的方法,其中该无机薄膜是选自旋涂式玻璃薄膜、场氧化旋涂式玻璃薄膜、等离子体增强氧化层及四乙氧基硅烷。
12.如权利要求8所述的方法,其中该有机薄膜是选自平坦化光致抗蚀剂及缓冲层式光致抗蚀剂。
13.如权利要求8所述的方法,其中该有机薄膜包含负型光致抗蚀剂。
14.如权利要求8所述的方法,其中该无机薄膜的厚度是介于2100埃至3100埃。
15.如权利要求8所述的方法,其中该有机薄膜的厚度是介于10000埃至12000埃。
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