[发明专利]非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法有效
| 申请号： | 200910177543.X | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101661797A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 陈威仲;何达能;陈俤文;陈威铭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 写入 读取 | ||
1.一种非易失性存储器的操作方法，其特征在于，包括：
(a)提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第 一位状态与程序化前具有一第二位状态，其中该待编码存储器包括n个数据 输入信道，根据所述n个数据输入信道区分一欲编码程序数据为第1到第n组；
(b)分别计算各该第1到第n组欲编码程序数据中，该第一位状态的数量 及该第二位状态的数量；
(c)针对各该第1到第n组欲编码程序数据，当该第一位状态的数量大于 该第二位状态的数量时，反向定义该欲编码程序数据；以及
(d)将该反向定义后的该组欲编码程序数据写入该待编码存储器中；
其中，所述反向定义该组欲编码程序数据包括：
通过提供一屏蔽、形成一植入阻抗材料层于该待编码存储器上；
以屏蔽定义图案于植入阻抗材料层以形成一图案化植入阻抗层；以及
离子植入露出的待编码存储体。
2.如权利要求1所述的操作方法，其特征在于，还包括：
(e)当该第一位状态的数量小于该第二位状态的数量时，保持原来的位状 态定义写入该待编码存储器中。
3.如权利要求1所述的操作方法，其特征在于，还包括：
读取该待编码存储器；
检查该欲编码程序数据是否反向定义；以及
若该欲编码程序数据为反向定义，则再反向定义一次后输出。
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