[发明专利]集成电路保护器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

形成在衬底上的逆变器器件；

保护器件，其中所述保护器件包括形成在衬底上的n沟道晶体管器件，并被连接到逆变器器件；和

第一电压源，其中所述n沟道晶体管的源极被连接到所述第一电压源。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述逆变器包括第一器件和第二器件，其中所述第一器件被电连接到第二电压源的PMOS器件，所述第一和第二器件的至少一个的栅极被连接到所述n沟道晶体管。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述NMOS器件的漏极被电连接到电容。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

电容，其中所述NMOS器件为电容上累积的电荷提供流入到所述衬底的路径。

5.如权利要求1所述的半导体器件，所述第一电压源为衬底，其中所述衬底被电接地。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述逆变器的第二器件的源极被电连接到所述NMOS保护器件的栅极。

7.一种集成电路，包括：

输入焊盘；

连接到所述输入焊盘的ESD保护器件；

连接到所述ESD保护器件的有源器件；和

连接到所述有源器件的保护器件，其中所述保护器件包括NMOS晶体管，其中所述NMOS晶体管被电连接到电源。

8.如权利要求7所述的集成电路，其中所述有源器件为逆变器。

9.如权利要求7所述的集成电路，其中所述NMOS器件的源极被电连接到所述电源。

10.如权利要求7所述的集成电路，还包括：

电容，其中所述电容被电连接到所述有源器件和所述保护器件。

11.如权利要求7所述的集成电路，其中电流从电容开始穿过所述保护器件的NMOS晶体管到所述电源。

12.如权利要求7所述的集成电路，还包括：

开启所述NMOS器件的装置，因而提供导通状态NMOS器件；和

从电容开始穿过所述导通状态NMOS器件到所述电源的电流。

13.一种半导体制造方法，包括如下步骤：

提供半导体衬底；

在所述衬底上形成多个导电层，其中所述多个导电层包括被放置在远离所述半导体衬底的表层的顶层金属层；

在所述半导体衬底上形成电容，其中所述电容包括所述顶层金属层；

形成连接到所述电容的第一晶体管；

形成连接到所述电容的第二晶体管，其中所述第二晶体管为NMOS器件，其中所述NMOS器件进一步被连接到电源；和

在所述电容的顶层金属层上产生电荷，其中所述产生电荷的步骤包括提供从电容开始穿过所述NMOS器件到所述电源的电流。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述形成第一晶体管包括形成逆变器。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述产生电荷包括对所述衬底施加摩擦力。