[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 200910178300.8 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102044595A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈冠宇 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管结构，包括：
一基座，具有一凹陷部；
一发光二极管芯片，设置在该基座的凹陷部中，用于产生一光线；以及
一透光块，设置在该基座上并覆盖该凹陷部及该发光二极管芯片，使该光线经由该透光块而射出，其中，该透光块呈平顶多边角锥体，包括一底面、一顶面以及多个侧面，该等侧面连接于该底面以及该顶面之间。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该透光块的底面与其中一侧面之间的夹角为一锐角或为一钝角。
3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中该透光块呈平顶四角锥体。
4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该透光块的剖面为一梯形或一倒梯形。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该基座的凹陷部中具有一反射盖。
6.如权利要求5所述的发光二极管结构，其还包括一金属层，设置在该凹陷部的内表面上而形成该反射盖。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该基座的材料为具导热性的材料。
8.如权利要求7所述的发光二极管结构，其中该基座的材料为含硅基板或陶瓷基板。
9.一种发光二极管结构，包括：
一基座，具有一凹陷部；
一发光二极管芯片，设置在该基座的凹陷部中，用于产生一光线；以及
一透光块，设置在该基座上并覆盖该凹陷部及该发光二极管芯片，使该光线经由该透光块而射出，其中，该透光块呈平顶多边角锥型，包括一底面、一顶面以及多个侧面，该等侧面连接于该底面以及该顶面之间，该透光块的顶面上形成有一具有一底部的凹槽。
10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该透光块的底面与其中一侧面之间的夹角为一锐角或为一钝角。
11.如权利要求10所述的发光二极管结构，其中该透光块呈平顶四角锥体。
12.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该凹槽的开口的形状为圆形、矩形、椭圆形或多边型。
13.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该凹槽的底部的形状与该凹槽的开口的形状相同。
14.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该凹槽的底部与侧壁之间夹角呈一直角或一钝角。
15.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该基座的凹陷部中具有一反射盖。
16.如权利要求15所述的发光二极管结构，其还包括一金属层，设置在该凹陷部的内表面上而形成该反射盖。
17.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该基座的材料为具导热性的材料。
18.如权利要求17所述的发光二极管结构，其中该基座的材料为含硅基板或陶瓷基板。
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