[发明专利]发光二极管结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管结构，其出射光的亮度大幅提升，且除了正向光之外，侧向光也一并兼顾到。

背景技术

随着发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)技术的进步，其可产生的亮度也愈来愈高，且具有寿命长、省电、安全、以及反应快等优点，可应用的领域相当广泛。

在公知的表面粘着型发光二极管结构中，发光二极管芯片设置于一基座中，基座仅留下一出光开口以供发光二极管芯片的光线射出。当发光二极管芯片发光时，会有部分光线入射基座侧壁因而被吸收、或者产生反射及散射的现象，使得出射光的亮度减少许多。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种发光二极管结构，其出射光的亮度大幅提升，且除了正向光之外，侧向光也一并兼顾到，因此本发明的发光二极管结构无论是运用在造景、或者是作为背光来使用，都很适合。

本发明的发光二极管结构包括一基座、一发光二极管芯片及一透光块。基座具有一凹陷部，发光二极管芯片设置在基座的凹陷部中且用于产生一光线。透光块设置在基座上并覆盖凹陷部及发光二极管芯片，使光线经由透光块而射出。透光块呈平顶多边角锥体，其包括一底面、一顶面以及多个侧面，多个侧面连接于底面以及顶面之间。

其中，透光块的底面与其中一侧面之间的夹角为一锐角或为一钝角。

其中，透光块呈平顶四角锥体。

其中，透光块的剖面为一梯形或一倒梯形。

其中，基座的凹陷部中具有一反射盖。

本发明的发光二极管结构还包括一金属层，设置在凹陷部的内表面上而形成反射盖。

其中，基座的材料为具导热性的材料。

其中，基座的材料为含硅基板或陶瓷基板。

本发明的发光二极管结构包括一基座、一发光二极管芯片及一透光块。基座具有一凹陷部，发光二极管芯片设置在基座的凹陷部中，用于产生一光线。透光块设置在基座上并覆盖凹陷部及发光二极管芯片，使光线经由透光块而射出。透光块呈平顶多边角锥体，其包括一底面、一顶面以及多个侧面，多个侧面连接于底面以及顶面之间，透光块的顶面上形成有一具有一底部的凹槽。

其中，透光块的底面与其中一侧面之间的夹角为一锐角或为一钝角。

其中，透光块呈平顶四角锥体。

其中，凹槽的开口的形状为圆形、矩形、椭圆形或多边型。

其中，凹槽的底部的形状与凹槽的开口的形状相同。

其中，凹槽的底部与侧壁之间夹角呈一直角或一钝角。

其中，基座的凹陷部中具有一反射盖。

本发明的发光二极管结构还包括一金属层，设置在凹陷部的底部及侧壁上而形成反射盖。

其中，基座的材料为具导热性的材料。

其中，基座的材料为含硅基板或陶瓷基板。

本发明提供的发光二极管结构能够大幅提升出射光的亮度，且除了正向光之外，也一并提高侧向光的亮度。

为使本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例并配合所附附图做详细说明。

附图说明

图1依据本发明的发光二极管结构的第一实施例的示意图。

图2依据本发明的发光二极管结构的第一实施例的透光块的剖面图。

图3依据本发明的发光二极管结构的第一实施例的透光块的立体图。

图4依据本发明的发光二极管结构的第二实施例的示意图。

图5依据本发明的发光二极管结构的第二实施例的透光块的剖面图。

图6依据本发明的发光二极管结构的第二实施例的透光块的立体图。

图7至图9显示本发明的发光二极管结构的制作过程。

图10显示本发明于计算机模拟时发光二极管结构的摆放角度为0°。

图11显示本发明于计算机模拟时发光二极管结构的摆放角度为90°。

图12所示为没有透光块的发光二极管结构的模拟结果。

图13所示为本发明的第一实施例的发光二极管结构(设有透光块)的模拟结果。

图14所示为本发明的第二实施例的发光二极管结构(设有透光块)的模拟结果。

其中，附图标记说明如下：

1～发光二极管结构

10～导电支架

11～透光块

111～透光块的底面

112～透光块的顶面

113～透光块的侧面

115～凹槽

115’～凹槽的底部

115”～凹槽的侧壁

12～基座

13～发光二极管芯片

14～凹陷部的侧壁

16～基座的凹陷部

第二实施例