[发明专利]EEPROM以及用于制造EEPROM的方法

权利要求书

1.一种电可擦可编程只读存储器EEPROM，包括：

隧道区，形成在半导体衬底中；

控制栅极区，形成在所述半导体衬底中并通过器件隔离层与所述隧道区分开；

隧道氧化层，形成在所述半导体衬底的沟槽中，所述沟槽位于所述隧道区与所述控制栅极区之间；以及

多晶硅层，形成在所述隧道氧化层上。

2.根据权利要求1所述的EEPROM，其中，所述多晶硅层作为浮置栅极。

3.根据权利要求1所述的EEPROM，其中，所述隧道氧化层执行充电操作。

4.一种用于制造电可擦可编程只读存储器EEPROM的方法，包括：

在半导体衬底中形成隧道区；

在所述半导体衬底中形成控制栅极区，使得所述控制栅极区通过器件隔离层与所述隧道区分开；

在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽位于所述隧道区与所述控制栅极区之间；

在所述沟槽中形成隧道氧化层；以及

在所述隧道氧化层上形成多晶硅层。

5.一种电可擦可编程只读存储器EEPROM，包括：

多个隧道区，形成在半导体衬底中；

控制栅极区，形成在所述半导体衬底中，使得所述多个隧道区包括共用的所述控制栅极区；以及

浮置多晶硅，形成在所述半导体衬底的沟槽中，所述沟槽位于各个隧道区的两侧，所述浮置多晶硅形成在全部所述多个隧道区和所述控制栅极区。

6.根据权利要求5所述的EEPROM，其中，所述浮置多晶硅由多晶硅层形式并且作为浮置栅极。

7.一种用于制造电可擦可编程只读存储器EEPROM的方法，包括：

在半导体衬底的第一型阱中形成多个隧道区；

在所述第一阱之下形成第二型深阱；

在所述多个隧道区的侧面中形成沟槽，以穿透所述第一型阱和第二型深阱；

在所述沟槽中形成浮置多晶硅；以及

通过所述第二型深阱来形成控制栅极区，以使所述多个隧道区包括共用的所述控制栅极区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述浮置多晶硅由多晶硅层形成。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在每个所述沟槽的内壁上形成隧道氧化层。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，通过不同的掺杂剂离子的注入来形成所述第一型阱和第二型深阱。