[发明专利]标准组件的非均一边界状态的补偿

权利要求书

1.一种标准组件的设计方法，该标准组件包含由基板上的膜层所 形成的电路，且该标准组件的制造包含图案化技术，其中至少一个屏 蔽用以在各个膜层中产生制造该标准组件的该电路所需要的图案，所 述方法包含以下步骤：

识别在该标准组件的边界状态中将会影响相邻标准组件的特性 的非均一性；

引入另一非均一性至该组件中，以减小该所识别的非均一边界状 态对该相邻标准组件的该特性的影响。

2.如权利要求1所述的设计方法，其中所述另一非均一性延伸超 出该组件的该组件边界。

3.如权利要求1所述的设计方法，所述另一非均一性不改变该标 准组件的逻辑功能。

4.如权利要求1所述的设计方法，其中所述图案包括由所述膜层 中的一个所形成的多个平行条带，所述条带中的至少一部分条带被布 置为从该标准组件的一边界延伸至预定距离，识别所述非均一性的所 述步骤包含识别不延伸远至该预定距离的至少一个较短条带，以及引 入所述另一非均一性的所述步骤包含在对应于所述至少一个较短条 带的位置处引入至少一个额外条带，使得所述至少一个较短条带与所 述至少一个额外条带之间存在间隙，且所述至少一个额外条带延伸超 过该预定距离。

5.如权利要求4所述的设计方法，其中所述至少一个额外条带延 伸跨过该组件的该边界。

6.如权利要求1所述的设计方法，其中所述图案包括由所述膜层 中的一个所形成的多个平行条带，所述条带被布置成实质均一的图 案，所述均一的图案包含多个彼此间隔相同距离而被定位且自该标准 组件的一边界延伸至预定距离的条带，所述实质均一的图案包含位于 所述均一的图案中且在与该边界距离该预定距离处的至少一个间隙， 引入所述另一非均一性的所述步骤包含在对应于所述至少一个间隙 的位置处引入至少一个额外条带，所述至少一个额外条带延伸超过该 预定距离。

7.如权利要求6所述的设计方法，其中所述至少一个额外条带延 伸跨过该组件的该边界。

8.如权利要求7所述的设计方法，其中所述至少一个间隙对应于 以下至少一个：不存在条带，以及存在不从该组件的该边界延伸至该 预定距离的较短条带。

9.如权利要求1所述的设计方法，其中所述制造方法包含涉及每 个膜层使用两个屏蔽的双图案化技术。

10.如权利要求9所述的设计方法，其中所述两个屏蔽中的第一 屏蔽包含用于绘制膜层的屏蔽，以及所述两个屏蔽中的第二屏蔽包含 用于切割所述膜层的部分的屏蔽。

11.如权利要求9所述的设计方法，其中所述两个屏蔽中的第一 屏蔽包含用于绘制膜层的屏蔽，以及所述两个屏蔽中的第二屏蔽包含 用于绘制膜层的屏蔽，所述屏蔽具有不同形状以产生总体最终图案。

12.如权利要求1所述的设计方法，其中所述膜层中的一膜层为 多晶硅层。

13.如权利要求1所述的设计方法，其中所述膜层中的一膜层是 下列至少一个：扩散层、接触层、通孔层及金属化层。

14.如权利要求1所述的设计方法，其中引入所述另一非均一性 至该组件中的所述步骤包含使该组件增加结构以减小该组件对该相 邻组件的影响。

15.如权利要求1所述的设计方法，其中引入所述另一非均一性 的所述步骤实质上不影响该组件的特性。

16.一种由权利要求1所述的设计所产生的标准组件。

17.一种标准组件，包含：

由基板上的膜层所形成的电路，所述膜层被布置成图案以形成该 电路；和

至少两个特征结构，各特征结构产生非均一边界状态，所述非均 一边界状态中的至少一个减小所述至少两个非均一边界状态中的至 少另一个对相邻标准组件的影响。

18.如权利要求17所述的标准组件，其中产生所述另一非均一 性的所述特征结构延伸超出该组件的该组件边界。