[发明专利]一种有机电致发光器件有效
申请号: | 200910182610.7 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN101692458A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 邱勇;李旺生 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/528;H01L51/52 |
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地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光显示器件,包括:
发光区(101)、第二电极引线区(102)和邦定区(105);
发光区(101)包括第一电极、有机功能层和第二电极;
第二电极引线区(102)包括第二电极引线,覆盖第二电极引线的绝缘层,绝缘层具有通孔, 覆盖绝缘层的第二电极,第二电极引线通过绝缘层材料之间的通孔与第二电极搭接;第二 电极引线在邦定区(105)进行邦定,
其特征在于,至少一条第二电极引线与第二电极搭接的通孔多于1个,以承受较大的熔断 电压,或在熔断电压一定的情况下,获得膜厚较小的第二电极。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述第二电极引线与第一 电极的材料相同。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述第二电极引线选自氧 化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、铜、银。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述第二电极引线上还包 括低电阻金属层。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述低电阻金属选自铬、 钼、银、铜、钼/铝/钼、铜银合金、银锌合金、银镁合金或银铅铜合金。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述第二电极引线为低电 阻金属层。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述低电阻金属选自铬、 钼、银、铜、钼/铝/钼、铜银合金、银锌合金、银镁合金或银铅铜合金。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述绝缘层为聚酰亚胺、 聚四氟乙烯或聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物。
9.根据权利要求1-8其中之一所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述通孔为矩 形、圆形或椭圆形。
10.一种有机电致发光光源,包括发光区(201)、第一电极引线区(202)、第二电极引线 区(203);
发光区(201)包括第一电极、有机功能层和第二电极;
第二电极引线区(203)包括第二电极引线,覆盖第二电极引线的绝缘层,绝缘层具有通孔, 覆盖绝缘层的第二电极,第二电极引线通过绝缘层材料之间的通孔与第二电极搭接;第二 电极引线在邦定区(105)进行邦定,
其特征在于,至少一条第二电极引线与第二电极搭接的通孔多于1个,以承受较大的熔断 电压,或在熔断电压一定的情况下,获得膜厚较小的第二电极。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第二电极引线与第一电 极的材料相同。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光光源,其特征在于,其特征在于,所述第二电极 引线选自氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、铜、银。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第二电极引线上还包括 低电阻金属层。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述低电阻金属选自铬、钼、 银、铜、钼/铝/钼、铜银合金、银锌合金、银镁合金或银铅铜合金。
15.根据权利要求10所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述第二电极引线为低电阻 金属层。
16.根据权利要求15所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述低电阻金属选自铬、钼、 银、铜、钼/铝/钼、铜银合金、银锌合金、银镁合金或银铅铜合金。
17.根据权利要求10所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述绝缘层为聚酰亚胺、聚 四氟乙烯或聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物。
18.根据权利要求10-17其中之一所述的有机电致发光光源,其特征在于,所述通孔为矩形、 圆形或椭圆形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的