[发明专利]一种有机电致发光器件有效
申请号: | 200910182610.7 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN101692458A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 邱勇;李旺生 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/528;H01L51/52 |
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地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode,以下简称OLED), 尤其涉及一种OLED显示器件或OLED光源的第二电极与其引线的连接方式。
背景技术
OLED是一种利用载流子在电场作用下由第一电极(通常为阳极)、第二电极(通常为 阴极)进入有机功能层复合而发光的现象制成的显示器件。与LCD相比,OLED具有全固 态、无需背光源、高对比度、超薄、可实现柔性显示等优点。OLED可以做成点阵屏动态 显示图像,也可以成为光源。
对于OLED显示器件,发光区有第一电极、有机功能层和第二电极,在电场作用下, 载流子由第一电极、第二电极进入有机功能层复合而发光,作为显示器件时,发光区被绝 缘层分割为多个发光像素。电极引线包括第一电极引线和第二电极引线,电极引线在邦定 区105与驱动芯片或驱动电路进行邦定,实现对发光区的发光像素的控制。第一电极引线 与第一电极直接相连,且与第一电极材料相同,通常为氧化铟锡(以下简称ITO),在一次光 刻工艺中同时制备出来。第二电极引线可以与第一电极为同样的材料,在一次光刻工艺中 形成;也可以是低电阻金属,如铬、钼、钼/铝/钼三层、银、铜;也可以是ITO与低电阻金 属层的复合结构。
绝缘层的区域为104所示,绝缘层是光刻工艺形成的,材料通常为聚酰亚胺、聚四氟 乙烯、聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物或其他光刻胶。位于发光区101的绝缘层起到分割 像素的作用。位于第二电极引线区102的绝缘层起到限定搭接范围的作用:因为第二电极 是用蒸镀的方法制备的,如果没有绝缘层作为限制,那么第二电极与相应的电极引线搭接 的区域将是任意的,每条电极引线与第二电极的搭接区面积可能是不同的;受蒸镀角度的 影响,通孔的斜坡上第二电极材料的厚度也是不同的。这样会造成电阻不均,进而导致像 素点的亮度不均。
发光区101的第二电极与第二电极引线区102的第二电极是在一次蒸镀工艺中形成, 且是相连的,发光区101的第二电极通过绝缘层材料之间的通孔与第二电极引线搭接。103 为第二电极材料覆盖区域。
根据与芯片邦定方式的不同,即电极引线与芯片在器件的一侧或多侧进行连接,将 OLED器件分为单边邦定、双边邦定、三边邦定等。以单边邦定的OLED显示器件为例, 如图1所示,发光区左侧的引线为奇数行第二电极引线;右侧的引线为偶数行第二电极引 线;发光区下方的引线为第一电极引线。每条第二电极引线与第二电极搭接的通孔通常为 一个,如图3所示的通孔1、通孔2、通孔3。如图5和图6所示,通孔四周因光刻出的绝 缘层图形而形成斜坡a、b、c、d,蒸发源7位于发光区的正下方,对于发光区右侧的偶数 行第二电极引线上的通孔来说,蒸发源7对各斜坡的蒸镀角度不同,因而造成各斜坡上的 第二电极材料的厚度不同。因此,这些斜坡是搭接区域的薄弱地带,在电流过大的情况下, 斜坡区域易被熔断,造成通孔内的第二电极材料与周围的第二电极材料间隔开,从而造成 断路,产生行暗线。
对于OLED光源,由于电流较大,通常为0.1~1A甚至更大,更容易因斜坡上的薄弱区 域被烧毁而产生断路,从而使整个光源无法发光。
如果通过增加第二电极材料的厚度来防止薄弱区域被熔断,那么需要耗费更多的材料 和蒸镀时间,增加了成本。本发明将搭接区域改为多个通孔,能很好地提高OLED显示器 件或OLED光源的熔断电压,并且不增加成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种在第二电极膜厚一定的情况下,承受较大的熔断电压;或在 熔断电压一定的情况下,第二电极膜厚较小的有机电致发光显示器件。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种有机电致发光显示器件,包括发光区(101)、第二电极引线区(102)和邦定区(105); 发光区(101)包括第一电极、有机功能层和第二电极;第二电极引线区(102)包括第二 电极、绝缘层和第二电极引线,第二电极引线通过绝缘层材料之间的通孔与第二电极搭接; 至少一条第二电极引线与第二电极搭接的通孔多于1个。
第二电极引线可以与第一电极的材料相同,优选为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、 铜、银;也可以是低电阻金属层,优选为铬、钼、银、铜、钼/铝/钼、铜银合金、银锌合金、 银镁合金或银铅铜合金;还可以是第一电极材料与低电阻金属层的复合结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的