[发明专利]非对称式的超大功率射频开关模块及其制备方法

权利要求书

1.非对称式的超大功率射频开关模块，其特征是ANT-TX通道采用一个串 联电阻阻值小于0.5欧姆、热阻阻值小于20度/瓦、反向耐压大于200V、结 电容容值小于0.5P的PIN二极管作为开关元件，ANT-RX通道采用两个反 向耐压大于150V、结电容容值小于0.05P、串联电阻阻值小于0.5欧姆的PIN 二极管作为开关元件，这样制作的开关电路所形成的ANT-TX通道和 ANT-RX通道是不对称的，分别满足两个通道对功率、隔离度、插入损耗的 要求，两个通道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现。

2.非对称式的超大功率射频开关模块的制备方法，其特征是该方法包括如 下工艺步骤：

一、在高导热的RO4350基板上用银浆粘接超高导热性能的氮化铝 (AIN)衬底、集成硅驱动芯片以及ANT-RX通道的两个PIN二极管芯片； 所述的ANT-RX通道的PIN二极管芯片的反向耐压大于150V，结电容小于 0.05P，串联电阻小于0.5欧姆；

二、在AIN衬底上用银浆粘接ANT-TX通道的PIN二极管芯片；所述 的ANT-TX通道的PIN二极管芯片的反向耐压大于200V，结电容小于0.5P， 串联电阻小于0.5欧姆，热阻小于20度/瓦；

三、ANT-TX通道的PIN二极管芯片用银浆粘接在AIN衬底上，ANT-RX 通道的两个PIN二极管芯片用银浆粘接在RO4350基板电路板上；二极管芯 片阳极与电路板之间，AIN衬底上微带线与电路板微带线之间键合金丝连 接。

3.根据权利要求2所述的非对称式的超大功率射频开关模块的制备方法， 其特征是在RO4350基板上用银浆粘接集成硅驱动芯片，集成硅驱动芯片与 RO4350基板对应位置之间连接通过直径为25MIL金丝键合连接。

4.根据权利要求2所述的非对称式的超大功率射频开关模块的制备方法， 其特征是所述的RO4350基板之上用环氧树脂胶粘接陶瓷帽。

5.根据权利要求3所述的非对称式的超大功率射频开关模块的制备方法， 其特征是所述的集成硅驱动芯片的粘接及引线键合：芯片粘接用MD140粘 接，并在高温150度下固化；微带线段之间以及PIN二极管与微带线之间均 通过键合金丝连接。