[发明专利]高压二极管新型生产工艺无效

申请号：	200910184092.2	申请日：	2009-08-13
公开（公告）号：	CN101621003A	公开（公告）日：	2010-01-06
发明（设计）人：	王志敏	申请（专利权）人：	王志敏
主分类号：	H01L21/329	分类号：	H01L21/329;H01L21/22;H01L21/60
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	226500江苏省如***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	高压二极管新型生产工艺
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【权利要求书】：

1、高压二极管新型生产工艺，它的生产工艺步骤为：1、硅片扩散；2、镀镍；3、合金；4、切断；5、硅块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、上胶；9、模压；10、电镀；11、测试；其特征在于所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片。

2、根据权利要求1所述的高压二极管新型生产工艺，其特征在于所述的步骤2镀镍，采用表面镀镍扩散。

3、根据权利要求1所述的高压二极管新型生产工艺，其特征在于所述的步骤6焊接，采用裸铜引线焊接。

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