[发明专利]高压二极管新型生产工艺

说明书

技术领域：

本发明涉及二极管的制造工艺，具体涉及高压二极管的生产工艺的改进。

背景技术：

目前的高压二极管的制造过程中，所使用的硅片为区熔单晶片、硅片扩散后采取表面镀镍后再镀金、铜引线采用表面镀银；这三种材料因其制造工艺复杂、成本昂贵，导致高压二极管的原材料费用高、价格高。

中国专利200680047677.4公开了一种集成高压二极管及制造方法，它主要提供了一种集成二极管的生产制造方法，利用这种方法获得的高压集成二极管，成本高昂、市场价格难以下调，导致市场占有率低下，难以占有大量市场份额。

发明内容：

本发明的目的是提供一种高压二极管新型生产工艺，它能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达到50％，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为环保、节能做出了大量的贡献。为了解决背景技术所存在的问题，本发明是采用以下技术方案，高压二极管的生产工艺包含以下工艺步骤：1、硅片扩散；2、镀镍；3、合金；4、切断；5、硅块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、上胶；9、模压；10、电镀；11、测试。

所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片，采用直拉单晶片取代传统技术的区熔单晶片，可以降低本道工序成本60％。

所述的步骤2镀镍，采用表面镀镍扩散，采用表面镀镍扩散取代面镀镍后镀金硅扩散片，可以降低本道工序成本50％。

所述的步骤6焊接，采用裸铜引线焊接，采用裸铜引线焊接代替镀银焊接，由于铜的成本比银的价格低很多，本道工序可以降低成本50％。

本发明中高压二极管的生产过程中经过改进，整体降低成本50％，已经完全克服技术上的难点，采用价格便宜的三种材料生产加工高压二极管。

本发明能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达到50％，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为环保、节能做出了大量的贡献。

具体实施方式：

本具体实施方式采用以下技术方案：高压二极管的生产工艺包含以下工艺步骤：1、硅片扩散；2、镀镍；3、合金；4、切断；5、硅块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、上胶；9、模压；10、电镀；11、测试。

所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片，采用直拉单晶片取代传统技术的区熔单晶片，可以降低本道工序成本60％。

所述的步骤2镀镍，采用表面镀镍扩散，采用表面镀镍扩散取代面镀镍后镀金硅扩散片，可以降低本道工序成本50％。

所述的步骤6焊接，采用裸铜引线焊接，采用裸铜引线焊接代替镀银焊接，由于铜的成本比银的价格低很多，本道工序可以降低成本50％。

本发明中高压二极管的生产过程中经过改进，整体降低成本50％，已经完全克服技术上的难点，采用价格便宜的三种材料生产加工高压二极管。

本发明能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达到50％，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为环保、节能做出了大量的贡献。