[发明专利]EEPROM擦写方法和装置有效
申请号: | 200910188822.6 | 申请日: | 2009-12-10 |
公开(公告)号: | CN102097130A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 邓锦辉;刘桂云 | 申请(专利权)人: | 辉芒微电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | eeprom 擦写 方法 装置 | ||
1.一种EEPROM擦写方法,其特征在于,包括:
S1、采用行选中信号(V1)控制电荷泵电路以实现行选中;
S2、采用第一逻辑信号来控制高电平行选中信号(WL)以使所述高电平行选中信号(WL)至少具有逻辑1的电压进而提高击穿电压,所述第一逻辑信号=写信号(W)+读信号(R)&行选中信号(V1)。
2.根据权利要求1所述的EEPROM擦写方法,其特征在于,所述步骤S1中,采用第二逻辑信号来控制电荷泵电路的时钟信号有效,所述第二逻辑信号是时钟信号和行选中信号(V1)的逻辑与非信号。
3.根据权利要求2所述的EEPROM擦写方法,其特征在于,所述时钟信号包括反相非重叠时钟信号。
4.根据权利要求3所述的EEPROM擦写方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
S3、将EEPROM分区成多个块,每个块内包括多个行,在将所述反相非重叠时钟信号送到块的过程中进行块的选择控制。
5.根据权利要求4所述的EEPROM擦写方法,其特征在于,在执行步骤S3时或之前,将所述反相非重叠时钟信号分成多层反相非重叠时钟信号。
6.根据权利要求1所述的EEPROM擦写方法,其特征在于,箝位电荷泵电路的供电电压(V2)。
7.一种EEPROM擦写装置,包括用于选择擦写字节的MOS管(M1)、擦写电路(100)、隔离管(M4)和电荷泵电路(pump);其特征在于,
所述隔离管(M4)的漏极接收第一逻辑信号、栅极连接电源信号(VDD)、源极输出高电平行选中信号(WL)到电荷泵电路、MOS管(M1)的栅极和擦写电路(100)的第一信号输入端,所述第一逻辑信号=写信号(W)+读信号(R)&行选中信号(V1);
所述电荷泵电路的时钟控制端接收第二逻辑信号,所述第二逻辑信号是时钟信号和行选中信号(V1)的逻辑与非信号;
所述MOS管(M1)的漏极连接到电荷泵电路的供电电压(V2),源极连接所述擦写电路(100)的第二信号输入端;
所述擦写电路(100)的电源输入端连接到电源(VDD),接地端接地。
8.根据权利要求7所述的EEPROM擦写装置,其特征在于,所述擦写电路(100)包括并联的多个擦写单元,每个擦写单元分别包括擦写控制管的(M2)和浮栅管(M3);其中
所述擦写控制管(M2)的栅极接收高电平行选中信号(WL),漏极连接电源(VDD),源极连接到所述浮栅管(M3)的漏极,
所述浮栅管(M3)的控制浮栅极连接到所述MOS管(M1)的源极,所述浮栅管(M3)的源极接地。
9.根据权利要求7所述的EEPROM擦写装置,其特征在于,所述擦写电路(100)进一步包括MOS管(M6),所述MOS管(M6)的漏极连接到电荷泵电路的供电电压(V2),所述MOS管(M6)的栅极和源极连接到MOS管(M1)的栅极。
10.根据权利要求7所述的EEPROM擦写装置,其特征在于,所述EEPROM包括多个块,每个块内包括多个行,在将所述反相非重叠时钟信号送到块的过程中进行块的选择控制。
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