[发明专利]EEPROM擦写方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器电路设计领域，更具体地说，涉及一种EEPROM擦写方法和装置。

背景技术

电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)用于存储数字信息的电路。EEPROM的浮栅器件结构如图1所示，其电路符号如图2所示。在控制栅上加高电压是进行擦除动作，控制栅和漏端的高电压差导致电子隧穿到浮栅上。这样导致器件的开启电压变高，在控制栅接零电位时，源漏端不导通，用于表示数字信号的“1”。在漏端上加高电压是进行写动作，漏端和控制栅的高电压差导致电子隧穿，这次是从浮栅到漏端。这样导致器件的开启电压变负，在控制栅接零电位时，源漏端导通，用于表示数字信号的“0”。

相应的擦写电路如图3所示，M1用于选择擦写的字节，M2控制是否擦写，M3是浮栅管，M4是隔离管，pump是电荷泵电路。V1是译码输出，高表示选中要擦写的行，反之则不选中。当V1为逻辑“1”时，经过M4管后，WL上的电压为高，电荷泵电路启动，WL上电压由逻辑高升至高电压，M1的栅电压为高电压，这样高电压V2(高于14V)才可以通过M1去到浮栅管的栅极，才可以进行擦写动作。当V1为“0”时，经过M4管后，WL上的电压为零，电荷泵电路不动，WL上电压保持逻辑“0”的电压，M1的栅电压为零，这样高电压V2才无法通过M1去到浮栅管的栅极，无法进行擦写动作。

图4示出了所述擦写电路中的电荷泵电路。在进行擦写时，如果只对一行进行操作，其它行的WL都是零。对于M5和M1处于栅是零，而漏端是高压的情况。对于这些高压管都会有击穿现象，既击穿电压向高压端移动如图5所示。主要问题在于初始几次的工作状态，击穿电压低和向衬底漏电流大，这样在存储容量大的EEPROM进行擦写时，初始几次会有很大的衬底漏电流，造成V2负载过重而无法维持擦写所需的高电压值。这样就会造成操作失败。而且器件在较长时间没有高压工作后，又会重新出现击穿现象。

另外，当WL为零时，电荷泵电路的时钟依然在动作，增加一定的功耗，同时M5管关闭，电荷泵会导致M5源端出现负电压，出现向衬底漏电的情况。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种EEPROM擦写方法，包括：

S1、采用行选中信号控制电荷泵电路以实现行选中；

S2、采用第一逻辑信号来控制高电平行选中信号以使所述高电平行选中信号至少具有逻辑1的电压进而提高击穿电压，所述第一逻辑信号＝写信号+读信号&行选中信号。

在本发明所述的EEPROM擦写方法中，所述步骤S1中，采用第二逻辑信号来控制电荷泵电路的时钟信号有效，所述第二逻辑信号是时钟信号和行选中信号的逻辑与非信号。

在本发明所述的EEPROM擦写方法中，所述时钟信号包括反相非重叠时钟信号。

在本发明所述的EEPROM擦写方法中，所述方法进一步包括：

S3、将EEPROM分区成多个块，每个块内包括多个行，在将所述反相非重叠时钟信号送到块的过程中进行块的选择控制。

在本发明所述的EEPROM擦写方法中，在执行步骤S3时或之前，将所述反相非重叠时钟信号分成多层反相非重叠时钟信号。

在本发明所述的EEPROM擦写方法中，箝位电荷泵电路的供电电压。

本发明解决其技术问题采用的另一技术方案是，构造一种EEPROM擦写装置，包括用于选择擦写字节的MOS管、擦写电路、隔离管和电荷泵电路；其中，所述隔离管的漏极接收第一逻辑信号、栅极连接电源信号、源极输出高电平行选中信号到电荷泵电路、MOS管的栅极和擦写电路的第一信号输入端，所述第一逻辑信号＝写信号+读信号&行选中信号；

所述电荷泵电路的时钟控制端接收第二逻辑信号，所述第二逻辑信号是时钟信号和行选中信号的逻辑与非信号；

所述MOS管的漏极连接到电荷泵电路的供电电压，源极连接所述擦写电路的第二信号输入端；

所述擦写电路的电源输入端连接到电源，接地端接地。

在本发明所述的EEPROM擦写装置中，所述擦写电路包括并联的多个擦写单元，每个擦写单元分别包括擦写控制管的和浮栅管；其中

所述擦写控制管的栅极接收高电平行选中信号，漏极连接电源，源极连接到所述浮栅管的漏极，

所述浮栅管的控制浮栅极连接到所述MOS管的源极，所述浮栅管的源极接地。

在本发明所述的EEPROM擦写装置中，所述擦写电路进一步包括MOS管，所述MOS管的漏极连接到电荷泵电路的供电电压，所述MOS管的栅极和源极连接到MOS管的栅极。