[发明专利]一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备

说明书

技术领域

本发明涉及印刷电路板技术领域，尤其涉及一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备。

背景技术

随着集成电路发展的小型化和薄形化，对集成电路封装的要求也随之提高，其中对封装基板的要求更向着轻，薄，短，小的方向发展，以保证良好的电性能。为达到以上的要求，很高的布线密度是必需的，其中封装基板外层线路电镀引线的结构对布线的密度和封装后的电性能有着很大的影响。

现有的印刷半导体电路封装基板电镀公用连接线的布置方法在实现电镀后，都是通过去掉基板上电镀总线的方式将电镀引线彼此间分离，这种处理方式会在基板单元上留下剩余的电镀引线。此种剩余的电镀引线情况对用于高频、高速的封装基板上的高速信号线形成信号的损失和干扰，影响信号的完事性。同时增加了布线的难度，甚至在甚高密度布线的情况下不可能实现电镀引线的排布。

现有技术还无法实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备。

根据本发明的一个方面，本发明的目的在于提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法，包括：阻焊、二次干膜、电镀镍金(软厚金)、退膜、三次干膜、电镀镍金(硬厚金)、退膜、碱性蚀刻。

其中，所述阻焊步骤之前还包括：前工序。

其中，所述碱性蚀刻之后还包括：后工序。

其中，所述阻焊的步骤包括：

阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处。

其中，所述二次干膜的步骤包括：

盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜。

其中，所述三次干膜的步骤包括：

盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜。

根据本发明的另一个方面，本发明的目的在于还提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备，包括：

阻焊器，用于阻焊；

二次干膜器，用于在所述阻焊器阻焊之后，二次干膜；

镍金(软厚金)电镀器，用于在所述二次干膜器干膜之后，电镀镍金(软厚金)；

三次干膜器，用于在所述退膜器退膜之后，所述镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之前，三次干膜。

镍金(硬厚金)电镀器，用于在所述三次干膜器三次干膜之后，电镀镍金(硬厚金)；

退膜器，用于在所述镍金(软厚金)电镀器电镀镍金(软厚金)之后，退膜；以及用于在所述镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之后，退膜；

碱性蚀刻器，用于在所述镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之后，退膜器退膜之后，碱性蚀刻。

其中，还包括：

前工序处理器，用于在所述阻焊器阻焊之前，处理前工序。

其中，还包括：

后工序处理器，用于在所述碱性蚀刻器碱性蚀刻之后，处理后工序。

其中，所述阻焊器，用于阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处；所述二次干膜器，用于盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜；所述三次干膜器，用于盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜。

本发明通过前工序处理器处理前工序；接着阻焊器阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处；然后二次干膜器盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜；接着，镍金(软厚金)电镀器电镀镍金(软厚金)；然后退膜器退膜；接着三次干膜器盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜；然后镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)；接着退膜器退膜；然后碱性蚀刻器完成碱性蚀刻；接着后工序处理器处理后工序，从而达到实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线的目的。

附图说明

图1为本发明处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法的流程图；

图2为本发明处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法实施例的示意图；

图3为本发明处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备的示意图；

图4为本发明处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备实施例的示意图。

具体实施方式

本发明提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备，应用于印刷电路板技术领域，其基本思路是：前工序、阻焊、二次干膜、电镀镍金(软厚金)、退膜、三次干膜、电镀镍金(硬厚金)、退膜、碱性蚀刻、后工序，从而达到实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线的目的。