[发明专利]一种晶圆缺陷分析方法有效
| 申请号： | 200910194434.9 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101996855A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 分析 方法 | ||
1.一种晶圆缺陷分析方法，包括：
完成特定工艺步骤后，检测所述晶圆，将其上的晶粒分为缺陷晶粒和非缺陷晶粒，并按每个所述缺陷晶粒内的缺陷数对所述缺陷晶粒进行分类，得到第一检测结果；
所有工艺全部完成后，对上述晶圆进行性能测试，将其上的晶粒分为工作晶粒和非工作晶粒，得到第二检测结果；
根据所述第一检测结果和所述第二检测结果，对所述晶圆的晶粒进行再次分类；
计算每种缺陷引起的缺陷诱致失效率和良率损失。
2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，检测所述晶圆是通过对晶圆进行缺陷扫描实现的。
3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述计算缺陷诱致失效率的公式为KRi＝1-(GDDi/(GDDi+BDDi))/(GCD/(GCD+BCD))。
4.根据权利要求3所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，计算所述良率损失公式为
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆为逻辑产品。
6.根据权利要求5所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，晶粒内出现缺陷的分类小于等于5类。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆为存储产品。
8.根据权利要求7所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆缺陷分析方法是针对浅沟道隔离、栅极、通孔或金属线互连工艺中的一种或几种进行的。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆缺陷分析方法是针对浅沟道隔离、栅极、通孔或金属线互连工艺中的一种或几种进行的。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆缺陷分析方法，所述第一检测结果是通过缺陷位置文件来显示的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
