[发明专利]一种晶圆缺陷分析方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种能准确分析缺陷的晶圆缺陷分析方法。

背景技术

良率是半导体生产厂家衡量产品的一个十分重要的指标，一般一片晶圆要经过几百道精密处理工艺，只要其中任一工艺有问题都会影响到后续工艺处理和产品品质，甚至导致大量的产品报废。而晶圆产品的良率涉及的获利与亏损极大，往往数十亿甚至数百亿。因此，良率攸关一个生产厂家的前途，正确分析良率损失也成为改进生产技术的课题之一。

图1所示为现有的晶圆上的晶粒的缺陷检测结果。如图1所示，晶圆上的晶粒分为4种：工作非缺陷晶粒13、工作缺陷晶粒12、非工作缺陷晶粒11、非工作非缺陷晶粒14。

图2为根据检测结果所列的分析表格。如图2所示，工作非缺陷晶圆数GCD、工作缺陷晶粒数GDD、非工作缺陷晶粒数BDD、非工作非缺陷晶粒数BCD。工作晶粒用G表示，不工作晶粒用B表示，缺陷晶粒用D表示，非缺陷晶粒用C表示。

现有的一种缺陷诱致失效率(KR，Killer ratio)的计算公式为：

KR＝BDD/(BDD+GDD)        (1)

显然，公式只考虑了非工作缺陷晶粒数引起的缺陷诱致失效率，没有考虑其他因素引起的缺陷诱致失效率，是很不科学的。

计算缺陷诱致失效率的另一公式为：

KR＝1-(GDD/(GDD+BDD))/(GCD/(GCD+BCD))  (2)

实验表明，公式(2)的准确性要高于公式(1)。

但是，公式(2)的计算是以每个晶粒内出现各种缺陷的缺陷诱致失效率是相同的为前提进行计算的。但实际上，不同晶粒可能包含不同的缺陷数目，公式(2)没有考虑该因素所造成的KR的差异性，而默认为包含一个缺陷的晶粒、两个缺陷的晶粒、三个缺陷的晶粒......对KR的影响是一样的.而实际情况是两个缺陷的晶粒对KR的影响要大于一个缺陷的晶粒的对KR的影响(尤其对于存储产品)。因此，利用公式(2)计算的缺陷诱致失效率的准确性也是比较低的。公式(2)只适用于晶粒包含缺陷的数目小于或等于1的特殊情况。

现有的良率损失YieldLoss计算公式为：

YieldLoss＝(KR*(GDD+BDD))/(GCD+BCD+GDD+BDD)(2-2)

其中，Total为单个晶圆上的总晶粒数。

因此，需要提出一种可行的晶圆缺陷分析方法，来分析晶圆的缺陷诱致失效率和良率损失。

发明内容

为解决现有技术中缺陷诱致失效率和良率损失的计算不准确问题，本发明提供了一种准确率较高的晶圆缺陷分析方法。

本发明提供一种晶圆缺陷分析方法，包括：

完成特定工艺步骤后，检测所述晶圆，将其上的晶粒分为缺陷晶粒(一缺陷晶粒，二缺陷晶粒...)和非缺陷晶粒，并按每个所述缺陷晶粒内的缺陷数对所述缺陷晶粒进行分类，得到第一检测结果；

所有工艺全部完成后，对上述晶圆进行性能测试，将其上的晶粒分为工作晶粒和非工作晶粒，得到第二检测结果；

根据所述第一检测结果和所述第二检测结果，对所述晶圆的晶粒进行再次分类；

计算每种缺陷引起的缺陷诱致失效率和良率损失。

优选的，检测所述晶圆是通过对晶圆进行缺陷扫描实现的。

优选的，所述计算缺陷诱致失效率的公式为：

KRi＝1-(GDDi/(GDDi+BDDi))/(GCD/(GCD+BCD))。

优选的，计算所述良率损失公式为：