[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上具有栅极；

在所述栅极两侧的半导体衬底中具有第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为同型，所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和栅极构成第一MOS晶体管；

在所述第一离子掺杂区中具有第三离子掺杂区，所述第二离子掺杂区中具有第四离子掺杂区，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区为同型，第三离子掺杂区和第四离子掺杂区，与所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区反型，第三离子掺杂区、第四离子掺杂区和栅极构成第二MOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区延伸到栅极边缘下方的半导体衬底中，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区沿栅极长度方向的距离小于第三离子掺杂区和第四离子掺杂区沿栅极长度方向的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底中具有掺杂阱区，所述掺杂阱区的掺杂离子与第一掺杂区和第二掺杂区反型，所述第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区位于所述掺杂阱区内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为p型，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区掺杂的离子为n型。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为n型，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区掺杂的离子为p型。

6.一种权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极；

对所述栅极两侧的半导体衬底掺杂同型离子，形成第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和栅极构成第一MOS晶体管；

对第一离子掺杂区和第二离子掺杂区进行掺杂同型离子，形成第三离子掺杂区和第四离子掺杂区，第三离子掺杂区和第四离子掺杂区，与所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区反型，第三离子掺杂区、第四离子掺杂区和栅极构成第二MOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述栅极两侧的半导体衬底掺杂同型离子步骤后还包括退火步骤。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火采用尖峰退火，先以250℃/min至3000℃/min的速率上升到1050℃至1200℃，再以250℃/min至3000℃/min的速率下降。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对第一离子掺杂区和第二离子掺杂区进行掺杂同型离子步骤后还包括退火步骤。

10.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上具有栅极步骤之前还包括：对半导体衬底进行掺杂形成掺杂阱区。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为p型，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区掺杂的离子为n型。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为硼，剂量为5E13atom/cm²至1E14atom/cm²，能量为60Kev至80Kev。

13.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为n型，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区掺杂的离子为p型。

14.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体衬底上形成栅极的步骤包括：

在形成栅介质层和的栅电极层；

在栅介质层和的栅电极层侧墙层上形成栅侧墙层；且半导体器件的制造方法还包括步骤：

在栅介质层和的栅电极层两侧进行轻掺杂。