[发明专利]构造浮栅的方法

权利要求书

1.一种构造浮栅的方法，包括如下步骤：

A、在晶圆的硅基底上表面依次沉积氧化硅薄膜和氮化硅薄膜；

B、通过浅沟槽光刻和氮化硅蚀刻过程在晶圆上定义出浅沟槽图形；

C、在所述浅沟槽中沉积氧化硅，并对晶圆上表面进行第一次平坦化处理；

D、进行移除氮化硅的处理，在氮化硅原先所在的位置形成了空位；

E、用氢氟酸为主要成份的酸性溶液对晶圆表面进行预清洗，在晶圆表面生长栅氧层，再在所述空位处沉积多晶硅；

F、对所述晶圆上表面进行第二次平坦化处理，使填充在不同空位中的多晶硅彼此分离而形成浮栅；

其特征在于，在所述步骤D和步骤E之间，进一步包括：

在所述氧化硅的侧壁形成保护性间隙壁，所述保护性间隙壁与氢氟酸的反应速率小于氧化硅与氢氟酸的反应速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化硅的侧壁形成保护性间隙壁的步骤包括：

采用低压热沉积方法在晶圆表面沉积一层氮化硅或氮氧化硅薄膜；

采用干蚀刻的方法对所述氮化硅或氮氧化硅薄膜进行垂直方向的干性蚀刻，当硅基底表面以及填充氧化硅的上表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜消耗完毕则停止该蚀刻反应。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅或氮氧化硅薄膜的厚度为70埃至100埃。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述保护性间隙壁的厚度约为50埃±10埃。

5.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述步骤F之后，进一步包括：针对多晶硅的选择性蚀刻过程，以及使浮栅之间填充在浅沟槽中的填充氧化硅消退，并去除所述保护性间隙壁。