[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆上具有焊盘；

在所述晶圆上进行重布线层的光制程；

形成并刻蚀所述重布线层，以形成所需图形，所述重布线层和所述焊盘电性连接；

在所述晶圆上进行第二钝化层的光制程；

刻蚀所述第二钝化层，以形成第二钝化层通孔，以露出所述重布线层，并对所述第二钝化层进行固化和清除浮渣；

在所述第二钝化层通孔处植入焊球，所述焊球和所述重布线层电性连接；

对所述晶圆进行产品出货前的品质检验。

2.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述晶圆包括：衬底、位于衬底上的焊盘、以及部分覆盖所述焊盘的衬底钝化层，所述衬底钝化层具有露出部分所述焊盘的衬底钝化层通孔。

3.如权利要求2所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述重布线层的材料为铜，所述重布线层在所述衬底钝化层通孔处与所述焊盘电性连接。

4.如权利要求2所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述重布线层的厚度大于等于8微米。

5.如权利要求1至4中任一项所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述重布线层采用电镀的方式。

6.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层的材料是聚酰亚胺、聚对苯撑苯并双恶唑或光敏苯并环丁烯。

7.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，在所述晶圆上进行重布线层的光制程之前，还包括：在所述晶圆上进行第一钝化层的光制程。

8.如权利要求7所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第一钝化层以形成第一钝化层通孔，以露出部分所述焊盘，并对所述第一钝化层进行固化和清除浮渣工艺。

9.如权利要求7或8所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述光制程为黄光制程。

10.根据权利要求1的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆上具有焊盘，覆盖所述焊盘的重布线层，所述重布线层上的第二钝化层，所述第二钝化层上具有露出所述重布线层的第二钝化层通孔，所述重布线层通过所述第二钝化层通孔和焊球电性连接。

11.如权利要求10所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述晶圆包括：衬底、位于衬底上的焊盘、以及部分覆盖所述焊盘的衬底钝化层，所述衬底钝化层具有露出部分所述焊盘的衬底钝化层通孔。

12.如权利要求11所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述焊盘的材料为铝。

13.如权利要求12所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述第二钝化层的材料为聚酰亚胺、聚对苯撑苯并双恶唑或光敏苯并环丁烯。

14.如权利要求13所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述重布线层的材料为铜。

15.如权利要求10至14中任一项所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述重布线层的厚度为大于等于8微米。

16.根据权利要求8的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆上具有焊盘，所述焊盘上具有第一钝化层，所述第一钝化层上具有露出部分焊盘的第一钝化层通孔；所述第一钝化层上的重布线层，所述重布线层通过所述第一钝化层通孔和所述焊盘电性连接；所述重布线层上的第二钝化层，所述第二钝化层上具有露出所述重布线层的第二钝化层通孔，所述重布线层通过所述第二钝化层通孔和焊球电性连接。

17.如权利要求16所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述晶圆包括：衬底、位于衬底上的焊盘、以及部分覆盖所述焊盘的衬底钝化层，所述衬底钝化层具有露出部分所述焊盘的衬底钝化层通孔。

18.如权利要求16或17所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述重布线层的材料为铜。

19.如权利要求18所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述重布线层的厚度为大于等于8微米。

20.如权利要求19所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料为聚酰亚胺、聚对苯撑苯并双恶唑或光敏苯并环丁烯。