[发明专利]一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构有效
| 申请号： | 200910195415.8 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101667597A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里丝 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 mos 晶体管 测试 结构 | ||
1.一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，包括：第一导电类型的半导体衬底，位于半导体衬底上表面的第一导电类型的外延层，位于外延层表面的第一导电类型的源掺杂区和第一导电类型的漏掺杂区，位于所述源掺杂区下方的第二导电类型的源沟道区和位于所述漏掺杂区下方的第二导电类型的漏沟道区，覆盖栅极表面的夹层电介质层，覆盖在外延层表面用于引出源电极和漏电极的金属层以及覆盖半导体衬底底面的背金属层，其特征在于，所述源沟道区位于栅极下方的部分为源扩散沟道，其长度为1μm～3μm，所述漏沟道区位于栅极下方的部分为漏扩散沟道，其长度为1μm～3μm，且所述源沟道区和所述漏沟道区部分重叠，形成合并沟道。
2.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述覆盖在外延层表面用于引出漏电极的金属层所引出的电极为测试用漏电极。
3.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述覆盖半导体衬底底面的背金属层所引出的电极为垂直扩散MOS晶体管真正的漏电极。
4.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述源掺杂区和漏掺杂区均通过离子注入方法实现。
5.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述源沟道区和漏沟道区通过离子注入方法实现。
6.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述沟道区重叠的部分，为源扩散沟道和漏扩散沟道的部分重叠。
7.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述栅极覆盖所述源扩散沟道和漏扩散沟道的重叠部分
8.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述栅极的长度小于所述源扩散沟道长度与漏扩散沟道长度之和。
9.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述夹层电介质层为栅氧化层。
10.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
11.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，
所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
12.根据权利要求10或11所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，所述半导体衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
13.根据权利要求10或11所述的垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，所述源掺杂区和漏掺杂区的掺杂浓度均大于所述外延层的掺杂浓度。
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