[发明专利]一种分栅型埋层浮栅式的非易失性存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种分栅型埋层浮栅式的非易失性存储单元，其包括：

半导体衬底；

沟道区，位于互相分隔的源区和漏区之间；

浮栅，为分栅结构，对称分布于所述源区的两侧，并且由第一传 导层形成；

源极，由第二传导层和第三传导层形成，位于所述源区的上方， 并且与所述源区连接；

控制栅，由第四传导层形成，位于所述半导体衬底的上方；

其特征在于，

所述浮栅在第一绝缘介质层之下，并完全掩埋在所述半导体衬底 中；

所述浮栅与所述半导体衬底之间有第二绝缘介质层，所述第二绝 缘介质层与所述第一绝缘介质层相连，并且将所述浮栅完全包围，使 得所述浮栅与所述半导体衬底完全隔离；

所述浮栅和所述第二绝缘介质层位于所述源区和所述漏区之间， 并且所述第二绝缘介质层远离所述漏区的一侧与所述源区接触；

所述沟道区包括所述漏区到所述第二绝缘介质层之间沿所述半 导体衬底表面的第一沟道区和沿所述第二绝缘介质层表面至所述源 区的第二沟道区，所述第二沟道区位于在所述半导体衬底内部；

所述浮栅与所述控制栅之间有所述第一绝缘介质层；

所述浮栅与所述源极之间有所述第一绝缘介质层；

所述源极底部有沿所述半导体衬底表面水平突出的部分，并且所 述突出部分位于所述浮栅和所述第一绝缘介质层的上方；

所述源极底部的水平突出部分与所述浮栅在垂直于所述半导体 衬底表面的方向上有覆盖部分。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所 述浮栅与所述控制栅之间有覆盖部分，所述覆盖部分所对应的所述第 一绝缘介质层为隧道氧化层。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所 述源极与所述浮栅之间有覆盖部分，所述覆盖部分所对应的所述第一 绝缘介质层为编程耦合氧化层。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所 述源极与所述控制栅之间依次包含有间隔氧化层、偏移氧化层和所述 隧道氧化层。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所 述的第一传导层、第二层传导层、第三层传导层和第四传导层均为多 晶硅或掺杂多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所 述的第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层均为氧化硅层。