[发明专利]相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底；位于半导体衬底上的字线；与字线连接的相变存储器单元；

隔离沟槽，邻接并隔离所述字线；

隔离晶体管，邻接并隔离同一字线上相邻相变存储器单元。

2.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述隔离沟槽的底部位于半导体衬底上，所述隔离晶体管的底部位于字线上。

3.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器单元的选通二极管与字线连接；所述隔离晶体管形成于所述选通二极管之间。

4.如权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，所述隔离晶体管包括栅极以及栅极底部的沟道区，所述沟道区邻接并隔离选通二极管，掺杂类型与字线相反。

5.如权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，所述隔离晶体管的栅极外加反向偏置电压。

6.如权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器单元的选通二极管为肖特基二极管，且肖特基二极管的阴极半导体层与字线电连接，掺杂类型相同。

7.如权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述字线的掺杂类型为N型，所述沟道区的掺杂类型为P型。

8.一种存储器单元的隔离结构，包括：

字线隔离，所述字线隔离包括隔离沟槽，邻接并隔离存储器的字线；

单元隔离，所述单元隔离包括场效应晶体管，邻接并隔离同一字线上相邻的存储器单元；

所述字线隔离以及单元隔离，相互正交并围绕存储器单元的选通管形成。

9.如权利要求8所述的隔离结构，其特征在于，所述字线隔离的底部低于字线，所述单元隔离的底部低于所述存储器单元的选通管。

10.如权利要求8所述的隔离结构，其特征在于，所述场效应晶体管为常关状态。

11.如权利要求10所述的隔离结构，其特征在于，所述场效应晶体管的栅极外加反向偏置电压。

12.一种相变存储器单元的隔离结构制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在半导体衬底上形成字线；

在字线上形成阴极半导体层；

刻蚀所述阴极半导体层、字线，形成隔离沟槽，所述隔离沟槽的底部位于半导体衬底上；

在阴极半导体层上的预定区域内离子注入形成沟道区，所述沟道区的底部位于字线上，掺杂类型与字线相反；

在沟道区的表面形成栅极，阴极半导体层的表面形成阳极金属层。

13.如权利要求12所述的隔离结构制造方法，其特征在于，所述字线为单晶硅或多晶硅，掺杂类型为N型，采用化学气相沉积形成。

14.如权利要求13所述的隔离结构制造方法，其特征在于，所述阴极半导体层为单晶硅或多晶硅，掺杂类型与字线相同，通过选择性外延形成。

15.如权利要求12所述的隔离结构制造方法，其特征在于，所述沟道区通过反向离子注入形成，离子注入深度直至阴极半导体层底部的字线。