[发明专利]一种低介电常数绝缘薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910195819.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101651131A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;钱可嘉;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆 飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 绝缘 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低介电常数绝缘薄膜，其特征在于薄膜成分是Si、C、O、N、F，记为SiCONF 薄膜，薄膜厚度为20～500nm，薄膜中Si原子的含量是20～30％，C原子的含量是2～20％， O原子的含量是40～60％，N原子的含量是2～10％，F原子的含量是5～10％；并由下述步 骤制备获得：
用等离子增强化学气相淀积装置产生等离子体，淀积温度为150～400℃，等离子反应 腔气压为60～80Pa，淀积所用的原料是SiH4、N2O和C2F6，其中SiH4的流量是100～200sccm， N2O的流量是50～200sccm，C2F6的流量是300～900sccm。
2.一种如权利要求1所述的低介电常数绝缘薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤 如下：用等离子增强化学气相淀积装置产生等离子体，淀积温度为150～400℃，等离子反 应腔气压为60～80Pa，淀积所用的原料是SiH4、N2O和C2F6，其中SiH4的流量是 100～200sccm，N2O的流量是50～200sccm，C2F6的流量是300～900sccm。
3.如权利要求1所述的低介电常数绝缘薄膜作为集成电路中绝缘介质薄膜的应用。
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